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J-GLOBAL ID：202002236752640538   整理番号：20A0965870

原子構造秩序による半導体材料の分類【JST・京大機械翻訳】

Classification of Semiconductor Materials by Their Atomic Structure Order

著者 (2件)： Popov Anatoly (National Research University ”Moscow Power Engineering Institite”,Electronics and Nanoelectronics Department,Moscow,Russia) ,  Miroshnikova Irina (National Research University ”Moscow Power Engineering Institite”,Electronics and Nanoelectronics Department,Moscow,Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： MWENT  ページ： 1-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体エレクトロニクスの開発は,集積回路素子の活性領域のサイズの減少により,わずかにリンクされている。活性領域のサイズの減少は,それらの境界における並進対称性の可能な破れをもたらす。これは,秩序化領域のサイズとそれらの原子構造の秩序化の程度と半導体材料の性質の間の関係を理解することが緊急になる理由である。本論文では,規則化領域のサイズに従った半導体材料の分類を提案した。このパラメータは,材料のバンド構造,電荷キャリアの局在化度,その結果,半導体の電気物理的性質に影響を及ぼすことが注目される。さらに,原子構造の秩序化の程度の変化は,材料特性を制御するための方法の有効性に影響を及ぼす。ナノ秩序化システムに特に注意を払った。初期結晶,ガラス状および非晶質状態からの相転移の特徴を解析した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ガラス ,  相転移 ,  バンド構造 ,  *半導体 ,  *半導体材料 ,  活性部位 ,  *原子構造 ,  非晶質 ,  電子技術 ,  有効性
準シソーラス用語： 材料特性 ,  局在化 ,  電荷キャリア ,  並進対称性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 原子構造 ,  半導体材料 ,  分類