文献
J-GLOBAL ID:202002236779721927   整理番号:20A1747284

エレクトロニクス熱管理のための新しい界面材料:実験,モデリングおよび新しい機会【JST・京大機械翻訳】

Emerging interface materials for electronics thermal management: experiments, modeling, and new opportunities
著者 (3件):
資料名:
巻:号: 31  ページ: 10568-10586  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
熱管理は,デバイスサイズを減らし,出力密度を増加させる現代エレクトロニクスにとって重大な技術課題となっている。1つの重要な材料革新は,効率的な熱放散を可能にし,デバイス性能を改善するために,電子パッケージングにおける先進熱界面の開発であり,これは,過去数十年にわたって学界と産業の両方から集中的な研究努力を引きつけた。ここでは,高性能熱界面材料を開発するための理論と実験の最近の進歩をレビューした。最初に,界面エネルギー輸送のための基本理論と計算フレームワークを,熱境界抵抗に寄与する原子論的界面散乱からマルチスケール障害までの範囲で議論した。第二に,定常状態および過渡熱測定を含む最先端の実験技術を議論し,比較した。さらに,異なる応用に依存する熱界面材料の重要な構造設計,要求,および特性因子をまとめ,最近の文献によって例示した。最後に,高い熱伝導率を有する新しい半導体とポリマーを,簡潔にレビューし,将来の研究の機会を論じた。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
炭素とその化合物  ,  比熱・熱伝導一般  ,  塩  ,  単独重合  ,  固体デバイス一般 

前のページに戻る