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J-GLOBAL ID：202002237279228488   整理番号：20A0573617

超高輝度InGaNマイクロ発光ダイオード(μLED)を実現するための直接エピタキシャル法【JST・京大機械翻訳】

A Direct Epitaxial Approach To Achieving Ultrasmall and Ultrabright InGaN Micro Light-Emitting Diodes (μLEDs)

著者 (7件)： Bai Jie (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom) ,  Cai Yuefei (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom) ,  Feng Peng (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom) ,  Fletcher Peter (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom) ,  Zhao Xuanming (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom) ,  Zhu Chenqi (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom) ,  Wang Tao (Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, United Kingdom)
資料名： ACS Photonics  (ACS Photonics)
巻： 7  号： 2  ページ： 411-415  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5045A  ISSN： 2330-4022  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超小型および超小型InGaNマイクロ発光ダイオード(μLED)を実現するための直接エピタキシャル法を開発し,3.6μmの寸法および2μmのピッチをもつ超小型,超効率および超小型の緑色μLEDを実証した。この方法は,任意の電流μLED作製法によって排他的に使用されるドライエッチングプロセスを含まない。結果として,著者らのアプローチはドライエッチングプロセス中に誘起された損傷を完全に除去した。この緑色μLEDアレイチップは緑色スペクトル領域において~515nmで6%の記録外部量子効率(EQE)を示すが,抽出効率を高めるために標準LEDパッケージングに一般的に使用されている被覆,不動態化,エポキシまたは反射体を持たない裸のチップについて測定を行った。μLEDアレイベアチップ上で>10~7cd/m2の高輝度を得た。温度依存測定は,μLEDアレイ構造が28%の内部量子効率(IQE)を示すことを示した。著者らのエピタキシャルアプローチは,既存のマイクロディスプレイ作製技術と完全に互換性があることを強調する価値がある。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  被覆 ,  ドライエッチング ,  互換性 ,  反射体 ,  *エピタクシー ,  選択成長 ,  電流 ,  温度依存性 ,  スペクトル ,  不動態化
準シソーラス用語： LEDアレイ ,  外部量子効率 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： μLED ,  選択的成長 ,  InGaN/GaN ,  外部量子効率 ,  内部量子効率 ,  ドライエッチング

分類 (4件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高輝度 ,  InGaN ,  発光ダイオード ,  LED ,  エピタキシャル