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J-GLOBAL ID：202002237798763444   整理番号：20A0405377

原子的に薄いMOS_2FETにおける量子力学効果【JST・京大機械翻訳】

Quantum-mechanical effect in atomically thin MoS₂ FET

著者 (3件)： Fang Nan (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Fang Nan (Present address: RIKEN, Hirosawa, Wako, Saitama 351-0198, Japan) ,  Nagashio Kosuke (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： 2D Materials  (2D Materials)
巻： 7  号： 1  ページ： 014001 (6pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5550A  ISSN： 2053-1583  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)層状材料に基づく電界効果トランジスタ(FET)は,原子的に薄い体厚さへの改善された静電学のために,究極のスケール化電子デバイス応用に有望である。しかし,Siオン絶縁体(SOI)に対する約5nmの典型的な厚さと比較して,素子性能に対する単層の極限厚さ限界の利点は,特に蓄積領域でのオン状態に対して完全には証明されていない。ここでは,トップゲートMoS_2FETに対するC-V解析に基づいて,蓄積領域における非常に強い量子力学的効果を示した。自己無撞着計算は,SOIの電場により形成された三角形ポテンシャルと異なり,電子が単分子層の厚さに閉じ込められていることを明らかにした。チャネルの容量寄与は無視できるチャネル厚さにより無視できるので,ゲートチャネル容量は理想的にゲート絶縁体容量に最大化される。この量子力学効果は実験結果と良く一致した。したがって,単分子層2Dチャネルは,オン電流とゲート変調能力を増強するために使用されることが示唆される。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *量子論 ,  FET【トランジスタ】 ,  電流 ,  単一層 ,  ゲート絶縁膜 ,  通信路容量 ,  チャネル ,  絶縁体 ,  二次元 ,  積層材料 ,  単分子層 ,  電場
準シソーラス用語： トップゲート ,  電子素子 ,  静電気学 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 原子 ,  量子力学