文献

J-GLOBAL ID：202002238193875477   整理番号：20A0598513

低電圧下の大メモリ窓を持つ電荷捕獲メモリ素子のためのGdドープHfO_2単一膜【JST・京大機械翻訳】

A Gd-doped HfO₂ single film for a charge trapping memory device with a large memory window under a low voltage

著者 (7件)： Shen Yuxin (State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, GRINM Group Co., Ltd., Beijing 100088, China. [e-mail]) ,  Zhang Zhaohao ,  Zhang Qingzhu ,  Wei Feng ,  Yin Huaxiang ,  Wei Qianhui ,  Men Kuo
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 10  号： 13  ページ： 7812-7816  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Pt/GdドープHfO_2/SiO_2/Si構造を持つ性能増強電荷捕獲メモリ素子を調べた。ここでGdドープHfO_2は電荷トラッピングとブロッキング層として作用する。この素子は±5V掃引電圧(純粋HfO_2を有する素子の360%)下で5.4Vの大きなメモリウィンドウを実証し,低電力応用において非常に魅力的である。さらに,この素子は,1×10~5秒の保持時間と1×10~4のプログラム/消去サイクル後の1%の劣化を伴うロバストな耐久性能の後に,24.5%の電荷損失を有する良好な保持特性を示した。高密度の欠陥状態とGdドーピングにより誘起された欠陥エネルギー準位の減少が性能改善に寄与すると考えられる。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力応用 ,  *ガドリニウム ,  保持時間 ,  *記憶素子 ,  ロバスト性 ,  *ドーピング ,  保持容量 ,  耐久性 ,  *電圧 ,  エネルギー準位
準シソーラス用語： 高密度 ,  電荷損失 ,  ブロッキング層 ,  *電荷捕獲 ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電圧 ,  メモリ窓 ,  電荷捕獲 ,  メモリ素子 ,  Gd ,  ドープ