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J-GLOBAL ID：202002238506782830   整理番号：20A0585647

薄膜トランジスタにおける表面複合量子ドットの電荷輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Charge Transport Characteristics of Surface-Complexed Quantum Dot in a Thin Film Transistor

著者 (5件)： Gogoi Kasturi (Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati, 781039, Assam, India) ,  Pramanik Sabyasachi (Department of Chemistry, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati, 781039, Assam, India) ,  Pramanik Sabyasachi (Department of Chemistry, National Institute of Technology Sikkim, Sikkim, 737139, India) ,  Chattopadhyay Arun (Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati, 781039, Assam, India) ,  Chattopadhyay Arun (Department of Chemistry, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati, 781039, Assam, India)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 7  号： 4  ページ： e1901665  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非毒性白色発光量子ドット錯体(QDC)から作製した薄膜トランジスタの両極性輸送特性を,効率的なキャリア移動度を示すために報告した。キレート配位子として8-ヒドロキシキノリン5-スルホン酸を用いて,オレンジ発光Mn2+ドープZnS量子ドット(Qドット)の表面上に青緑色発光亜鉛キノラート錯体を形成することにより,QDCを合成した。この素子は,10~4の高いI_ON/I_OFF比と,2.95×10~-02と1.06×10~-02cm~2V~-1s-1の正孔移動度を有する,効率的な両極性輸送特性を示した。Qドット錯体集積薄膜トランジスタのサブ閾値勾配は,p電界効果トランジスタ(FET)で0.35から0.79Vdec-1,n-FET動作で0.59から0.97Vdec-1に増加し,Qdotの表面錯化によるトラップ状態密度の増加を示した。これらの結果は,白色光発光QDCが効率的な輸送および発光材料として使用できることを示唆しており,これは高度なオプトエレクトロニクス応用のための新しいパラダイムを開くものである。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  オプトエレクトロニクス ,  状態密度 ,  錯体 ,  硫化亜鉛 ,  キレート化合物 ,  キャリア移動度 ,  オレンジ ,  *薄膜トランジスタ ,  白色光 ,  ドーピング ,  発光 ,  錯体生成 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： マンガンイオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 両極性輸送 ,  キャリア移動度 ,  錯体生成反応 ,  量子ドット ,  薄膜トランジスタ

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜トランジスタ ,  量子ドット ,  電荷 ,  輸送特性