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J-GLOBAL ID：202002238614427484   整理番号：20A1084004

低電力SrCoO_xメモリスタにおけるトポタクチック相変態と抵抗スイッチング挙動の観測【JST・京大機械翻訳】

Observing topotactic phase transformation and resistive switching behaviors in low power SrCoO_x memristor

著者 (10件)： Lo Hung-Yang (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, No.1001, University Rd., East Dist, Hsinchu, 30010, Taiwan) ,  Yang Chih-Yu (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, No.1001, University Rd., East Dist, Hsinchu, 30010, Taiwan) ,  Huang Guan-Ming (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, No.1001, University Rd., East Dist, Hsinchu, 30010, Taiwan) ,  Huang Chih-Yang (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, No.1001, University Rd., East Dist, Hsinchu, 30010, Taiwan) ,  Chen Jui-Yuan (Department of Materials Science and Engineering, National United University, No. 1, Gongjing, Miaoli City, Miaoli County 360, Taiwan) ,  Huang Chun-Wei (Material and Chemical Research Laboratories, Nanotechnology Research Center, Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan) ,  Chu Ying-Hao (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, No.1001, University Rd., East Dist, Hsinchu, 30010, Taiwan) ,  Wu Wen-Wei (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, No.1001, University Rd., East Dist, Hsinchu, 30010, Taiwan) ,  Wu Wen-Wei (Center for the Intelligent Semiconductor Nano-system Technology Research, National Chiao Tung University, Hsinchu, 30010, Taiwan) ,  Wu Wen-Wei (Frontier Research Center on Fundamental and Applied Sciences of Matters, National Tsing Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 72  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,複雑な酸化物が抵抗性ランダムアクセスメモリ(RRAM)の誘電体材料における有望な候補であることが示されている。しかし,複雑な酸化物RRAMの詳細なスイッチング情報はまだ不十分で,全体のスイッチング過程の直接観察が機構を理解するために必要である。本研究では,パルスレーザ蒸着(PLD)により誘電体層としてニオブをドープしたSrTiO_3基板上にSrCoO_x(SCO)を堆積した。新しいSCOデバイスは,優れたRRAM特性,高いサイクル耐久性,長いデータ保持時間,および高抵抗状態(HRS)と低抵抗状態(LRS)抵抗とSet/リセット電圧の一様分布を有する。さらに,透過型電子顕微鏡(TEM)と走査型透過型電子顕微鏡(STEM)を用いてスイッチング機構を調べ,スイッチング挙動がトポタクチック相変態に起因することを示した。さらに,全スイッチング過程をその場TEMにより観察し,結果はex situ実験の知見を強化した。このスイッチング挙動の議論はRRAMスイッチング機構の新しい側面とRRAMにおける誘電体材料の新しいオプションを支持する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  *誘電体 ,  ニオブ ,  酸化物 ,  ドーピング ,  誘電材料 ,  RAM【メモリ】 ,  透過型電子顕微鏡 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  データリテンション ,  ReRAM ,  *メモリスタ ,  その場TEM ,  リセット電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 複雑な酸化物 ,  SrCoO_x ,  RRAM ,  トポタクティック相変態 ,  その場TEM

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電力 ,  メモリスタ ,  相変態 ,  抵抗スイッチング ,  挙動 ,  観測