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J-GLOBAL ID：202002238850775590   整理番号：20A0145851

希薄-As InGaNAs合金の電子特性:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Electronic properties of dilute-As InGaNAs alloys: A first-principles study

著者 (4件)： Borovac Damir (Center for Photonics and Nanoelectronics, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania 18015, USA) ,  Sun Wei (Center for Photonics and Nanoelectronics, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania 18015, USA) ,  Tan Chee-Keong (Department of Electrical and Computer Engineering, Clarkson University, Potsdam, New York 13699, USA) ,  Tansu Nelson (Center for Photonics and Nanoelectronics, Department of Electrical and Computer Engineering, Lehigh University, Bethlehem, Pennsylvania 18015, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 127  号： 1  ページ： 015103-015103-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In含有量を0%から18.75%まで変化させ,As含有量を0%から3.13%まで変化させる,第一原理密度汎関数理論(DFT)計算を実行することにより,希釈-As In_yGa_1-yn_1-xAs_x合金を調べた。得られたバンド構造は直接バンドギャップ半導体を示し,その電子特性はInGaN系へのAs原子の添加により著しく変化した。格子定数(aとc)を解析し,希釈As InGaNAsの湾曲パラメータを解析し議論した。電子特性は,より長い波長発光を達成するための可能性のある新しい材料代替物としての希釈As In_yGa_1-yn_1-xAs_x合金を示す。一方,低いIn含有量(<20%)を利用する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 第一原理 ,  希釈 ,  半導体 ,  *ヒ素 ,  *合金 ,  発光 ,  密度汎関数法 ,  格子定数 ,  波長 ,  *インジウム ,  バンド構造
準シソーラス用語： *InGaN ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子 ,  第一原理 ,  研究