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J-GLOBAL ID：202002238856508279   整理番号：20A0698350

局所陽極酸化による構造の異なる酸化チタンナノチューブの同一基板上への形成

Fabrication of structurally different titanium oxide nanotube films on a chip

著者 (9件)： 市村鳳規 (東京工科大 工) ,  田口登生 (東京工科大 工) ,  阿部宏之 (宮城県産技総合セ) ,  MA Teng (東北大 電通研) ,  但木大介 (東北大 電通研) ,  平野愛弓 (東北大 電通研) ,  平野愛弓 (東北大 材料科学高等研) ,  木村康男 (東京工科大 工) ,  庭野道夫 (東北福祉大 感性福祉研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119  号： 431(CPM2019 91-109)  ページ： 65-68  発行年： 2020年02月21日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 局所陽極酸化により,微細領域に形成された酸化チタンナノチューブ(TNT)は,高感度かつ集積可能な酸化物半導体ガスセンサの材料として期待できる。一方,構造の異なるTNTを同一基板上に作製することにより,感度やダイナミックレンジなどの異なる特性を有するガスセンサを集積化することが可能となると考えられる。そこで,本研究では,同一基板上の異なるTi線をそれぞれ異なる陽極酸化電圧で陽極酸化し,その構造をFESEMにより評価した。その結果,同一基板上に孔の大きさの異なるTNT膜が形成されていることを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： アノード酸化 ,  *ナノチューブ ,  *酸化チタン ,  *ガスセンサ ,  化合物半導体 ,  走査電子顕微鏡 ,  ナノ構造 ,  酸化物半導体 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  *チタニアナノチューブ
準シソーラス用語： FE-SEM ,  *酸化チタンナノチューブ ,  陽極酸化

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

引用文献 (8件)：

• Wan-Young Chung, Tae-Hoon Kim, Young-Ho Hong, and Duk-Dong Lee, Sen. Actuators B, vol.24-25, pp.482-485 (1995).
• G. Faglia, E. Comini, A. Cristalli, G. Sberveglieri, L. Dori, Sens. and Actuators B, vol.55, pp.140-146 (1999).
• Peng Gao, Huiming Ji, Yugui Zhou, Xiaolei Li, Thin Solid Films, vol.520, pp.3100-3106 (2012).
• J. M. Macák, H. Tsuchiya, P. Schmuki, Angew. Chem. Int. Ed., Vol.44, pp.7463-7465 (2005).
• K. Ishibashi, R. Yamaguchi, Y. Kimura and M. Niwano, J. Electrochem. Soc., vol.155, pp.K10-K14 (2008).

タイトルに関連する用語 (2件)： 陽極酸化 ,  酸化チタンナノチューブ