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J-GLOBAL ID：202002238939729221   整理番号：20A1434606

磁性半導体EuTiO_3における単一スピンチャネルを通る異方的量子輸送【JST・京大機械翻訳】

Anisotropic Quantum Transport through a Single Spin Channel in the Magnetic Semiconductor EuTiO₃

著者 (13件)： Maruhashi Kazuki (Department of Applied Physics and Quantum Phase Electronics Center, University of Tokyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Takahashi Kei S. (RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), Wako, 351-0198, Japan) ,  Takahashi Kei S. (PRESTO, Japan Science and Technology Agency (JST), Chiyoda-ku, Tokyo, 102-0075, Japan) ,  Bahramy Mohammad Saeed (Department of Applied Physics and Quantum Phase Electronics Center, University of Tokyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Bahramy Mohammad Saeed (RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), Wako, 351-0198, Japan) ,  Shimizu Sunao (RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), Wako, 351-0198, Japan) ,  Kurihara Ryosuke (Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, Kashiwanoha, Kashiwa, 277-8581, Japan) ,  Miyake Atsushi (Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, Kashiwanoha, Kashiwa, 277-8581, Japan) ,  Tokunaga Masashi (Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, Kashiwanoha, Kashiwa, 277-8581, Japan) ,  Tokura Yoshinori (Department of Applied Physics and Quantum Phase Electronics Center, University of Tokyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Tokura Yoshinori (RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), Wako, 351-0198, Japan) ,  Kawasaki Masashi (Department of Applied Physics and Quantum Phase Electronics Center, University of Tokyo, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Kawasaki Masashi (RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), Wako, 351-0198, Japan)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 32  号： 24  ページ： e1908315  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気半導体は量子輸送現象の理解において不可欠な成分である。このような繊細な,しかし,基本的に重要な効果を探索するために,磁気モーメントの存在下で高いキャリア移動度を維持することが重要である。しかし,実際には,磁化はしばしばキャリア移動度を低下させる。ここで,EuTiO_3は,2Kで3000cm2V-1s-1を超える高いキャリア移動度を持ち,一方,2Kで3000cm2V-1s-1を超える高いキャリア移動度を有し,一方,1式単位当たり7μ_Bを本質的にホストする,分子ビームエピタクシーを用いて成長可能な磁性半導体のまれな例である。これは,種々のキャリア密度を有するEuTiO_3膜の強磁性状態におけるShubnikov-de Haas(SdH)振動を測定することによって実証された。第一原理計算を用いて,観測したSdH振動は,ギャップ内Eu4fバンドへのそれらのエネルギー近接性により完全にスピン分極するTi3d-t_2g状態から真に起こることを示した。このような交換カップリングは,SdH振動の方向性異方性によって明らかにされたTi 3d-t_2g電子の有効質量とフェルミロジーに,さらに大きな影響を及ぼすことを示した。これらの知見から,EuTiO_3膜は理想的な磁性半導体であり,スピントロニクス応用に適した量子現象を探索するための肥沃な分野を提供することが示唆された。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  強磁性 ,  磁化 ,  磁気モーメント ,  *半導体 ,  スピン分極 ,  磁気 ,  キャリア密度 ,  有効質量 ,  *磁性半導体 ,  MBE成長 ,  スピントロニクス ,  *量子輸送 ,  第一原理計算

著者キーワード (5件)： 磁性半導体 ,  酸化物膜 ,  近接効果 ,  量子輸送 ,  Shubnikov-de Haas(SdH)効果

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁性半導体 ,  スピン ,  チャネル ,  量子輸送