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J-GLOBAL ID：202002239207748942   整理番号：20A1262566

Ar/N₂ループ型誘導熱プラズマを用いたSi基板窒化度の窒素流量依存性

Nitrogen Flow Rate Dependence in Nitridation Degree of Si Substrate using Ar/N₂ Loop Type of Induction Thermal Plasmas

著者 (8件)： 杉山祐樹 (金沢大) ,  大関元紀 (金沢大) ,  田中康規 (金沢大) ,  中野裕介 (金沢大) ,  上杉喜彦 (金沢大) ,  石島達夫 (金沢大) ,  幸本徹哉 (シー・ヴィー・リサーチ) ,  川浦廣 (シー・ヴィー・リサーチ)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2020  ページ： ROMBUNNO.1-114  発行年： 2020年03月01日 
JST資料番号： S0653B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・誘導熱プラズマを用いた大面積表面処理のため,ループ型誘導熱プラズマ(ICTP)装置を開発。
・ICTP装置による窒化表面処理を対象とし,Si基板表面窒化度合いの窒素流量依存性を検討。
・トーチ中央の導入口から,Ar/N₂ガスを多孔質セラミックを介して導入し,Si基板へできるだけ均一に吹き付け,Si基板を窒化。
・基板端と基板中央を比較すると,基板中央の方がN 1sの合成ピークが大きくなったことから,基板中央の方がより窒化したことが判明。
・ループ型誘導熱プラズマトーチの窒化では,基板中央に近づくほど窒化が速く進み,窒素流量0.1~0.3slpmの範囲で窒素流量を増加させるほど,窒化物であるSi₃N₄がより生成されることを確認。

シソーラス用語： *熱プラズマ ,  *ウエハ【IC】 ,  窒化物 ,  窒化ケイ素 ,  依存性 ,  流量 ,  窒素 ,  アルゴン ,  *表面処理 ,  トーチ
準シソーラス用語： *誘導熱プラズマ ,  *Si基板 ,  流量依存性

分類 (3件)： プラズマ装置  (BJ02082I) ,  その他の表面処理  (WC08070F) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ar ,  N2 ,  ループ ,  誘導熱プラズマ ,  Si基板 ,  窒化 ,  窒素 ,  流量依存性