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J-GLOBAL ID：202002239232422666   整理番号：20A1191505

スズの高圧窒化により合成したSn_3N_4多形の結晶構造と電子特性【JST・京大機械翻訳】

Crystal structures and electronic properties of Sn₃N₄ polymorphs synthesized via high-pressure nitridation of tin

著者 (7件)： Niwa Ken (Department of Materials Physics, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan. [e-mail]) ,  Inagaki Tomoya ,  Ohsuna Tetsu ,  Liu Zheng ,  Sasaki Takuya ,  Gaida Nico Alexander ,  Hasegawa Masashi
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 22  号： 20  ページ： 3531-3538  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sn_3N_4多形の結晶構造,圧縮挙動,および電子特性を,高圧in situ測定,透過型電子顕微鏡,およびDFT ab initio計算によって研究した。レーザ加熱ダイヤモンドアンビルセルを用いることにより,29.5GPaの圧力以上でのスズの直接窒化は,これまで報告されたものと一致する非常に結晶性の単斜晶Sn_3N_4の合成をもたらした。一方,単斜晶系Sn_3N_4は,周囲圧力での減圧と共に,2倍の相転移を起こすことが新たに発見された。回復したサンプルに関する進歩したシンクロトロンX線粉末回折測定とTEM解析は,新しく回復したSn_3N_4が斜方晶系対称性で結晶化して,不規則に形状のSnN_5とSnN_6から成ることを証明した。DFT ab initio計算は,この新しく回復した斜方晶系Sn_3N_4が,立方スピネル型Sn_3N_4のそれより狭い電子エネルギーギャップを有する間接バンドギャップ半導体であることを明らかにした。本結果は,高圧窒化が高度に結晶性のSn_3N_4多形を合成する強力な方法であり,結晶構造と電子特性の多様性に関してグループIVA窒化物の新しい結晶化学を明らかにすることを実証した。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶化 ,  *結晶構造 ,  *高圧 ,  シンクロトロン ,  スピネル ,  相転移 ,  半導体 ,  *スズ ,  *窒化 ,  窒化物 ,  レーザ加熱 ,  斜方晶系 ,  単斜晶系 ,  透過型電子顕微鏡 ,  粉末X線回折 ,  *改変

分類 (2件)： 固相転移  (BL04020G) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： スズ ,  高圧 ,  窒化 ,  多形 ,  結晶構造 ,  電子