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J-GLOBAL ID：202002239492830144   整理番号：20A0785072

AlGaN/GaN/Al_xGa_1-xN二重ヘテロ接合高電子移動度トランジスタ構造の構造と電気特性に及ぼすAl_xGa_1-xNバッファ層の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Al_xGa_1-xN buffer layer on the structural and electrical properties of AlGaN/GaN/Al_xGa_1-xN double heterojunction high electron mobility transistor structures

著者 (6件)： Nam Yongjun (Convergence Center for Advanced Nano Semiconductor (CANS), Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung-si, Gyeonggi-do 15073, South Korea) ,  Choi Uiho (Convergence Center for Advanced Nano Semiconductor (CANS), Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung-si, Gyeonggi-do 15073, South Korea) ,  Lee Kyeongjae (Convergence Center for Advanced Nano Semiconductor (CANS), Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung-si, Gyeonggi-do 15073, South Korea) ,  Jang Taehoon (Convergence Center for Advanced Nano Semiconductor (CANS), Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung-si, Gyeonggi-do 15073, South Korea) ,  Jung Donghyeop (Convergence Center for Advanced Nano Semiconductor (CANS), Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung-si, Gyeonggi-do 15073, South Korea) ,  Nam Okhyun (Convergence Center for Advanced Nano Semiconductor (CANS), Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University (KPU), Siheung-si, Gyeonggi-do 15073, South Korea)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 38  号： 2  ページ： 022204-022204-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,AlGaN/GaN/Al_xGa_1-xN二重ヘテロ接合高電子移動度トランジスタ(HEMT)の構造的および電気的性質に及ぼすAl_xGa_1-xNバッファ層の効果を報告した。バッファ層のAl組成が増加すると,チャネルの二次元電子ガス(2DEG)閉込めが改善され,シミュレーションにより確認された。AlGaNバッファHEMTは,CドープGaNバッファを有する従来のHEMTと比較して,表面形態,結晶品質,および界面粗さのような改善された構造特性を示した。負の分極電荷による2DEG特性のわずかな減少が観測された。しかし,絶縁破壊電圧特性において,CドープGaNを有するHEMTに対して652V,Al_0.044Ga_0.956Nバッファを有するHEMTに対して624V,Al_0.088Ga_0.912Nバッファを有するHEMTに対して642Vと同等の結果が得られた。しかし,AlGaNバッファは半絶縁に対してドープされなかった。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電気特性 ,  ドーピング ,  *窒化ガリウム ,  二次元電子ガス ,  *アルミニウム ,  *バッファ層 ,  構造特性 ,  *HEMT ,  電気的性質 ,  チャネル
準シソーラス用語： 半絶縁性 ,  絶縁破壊電圧 ,  結晶品質 ,  表面形態 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  二重ヘテロ接合 ,  高電子移動度トランジスタ ,  電気特性 ,  バッファ層