文献

J-GLOBAL ID：202002240028038653   整理番号：20A0377940

抵抗スイッチングチャネルとしてCVD単分子層MOS_2を用いた強誘電体メモリ電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Ferroelectric memory field-effect transistors using CVD monolayer MoS₂ as resistive switching channel

著者 (5件)： Shen Pin-Chun (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Lin Chungwei (Mitsubishi Electric Research Laboratories, Cambridge Massachusetts 02139, USA) ,  Wang Haozhe (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Teo Koon Hoo (Mitsubishi Electric Research Laboratories, Cambridge Massachusetts 02139, USA) ,  Kong Jing (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 3  ページ： 033501-033501-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体電界効果トランジスタ(FeFET)は,それらの高速スイッチング速度,プログラマブルコンダクタンス,および神経形態応用のための高ダイナミックレンジにより,有望な電気スイッチ可能な不揮発性データ記憶素子と考えられている。一方,FeFETは,二次元(2D)材料を導入することによって性能を構成することなく,理想的に,高密度素子集積のための原子スケールに積極的に縮小することができる。これまで,実証された2D材料に基づくFeFETは,主に機械的に剥離したフレークに依存しており,これは大規模産業応用には好ましくなく,有機強誘電体に基づくFeFETは典型的に大きな書込み電圧(例えば>±20V)を示し,これらのタイプのメモリ素子は商業的に実行可能である。ここでは,化学蒸着(CVD)により成長させた単層MoS_2を,FeFETを作製するための抵抗スイッチングチャネルとして用いることができ,その中で,MoS_2チャネルがHfO_2/強誘電体HfZrO_x薄膜のハイブリッドゲートスタックにより変調されることを実証した。2D MoS_2FeFETにおけるプログラミング過程は,強誘電分極スイッチングに由来し,人工シナプス応用のためのデータ蓄積と累積チャネルコンダクタンスに対する2つの異なる書込みと消去状態をもたらす。2D FeFETは低電圧駆動特性(<±3V)とゲート調整可能な強誘電ヒステリシス特性を示した。ハイブリッドゲートスタックにおける薄いHfO_2層は,素子の強誘電性を保存し,エネルギー再分布を通してスイッチング電圧の閾値を下げるのに重要な役割を果たす可能性がある。著者らの発見は,将来のエネルギー効率の良い「脳-オン-チップ」ハードウェア用のHfO_2ベースの強誘電体と組み合わせた抵抗性スイッチング媒体としてのCVD成長層状材料の使用の道を開く。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  シナプス ,  *FeRAM ,  コンダクタンス ,  データ蓄積 ,  薄膜 ,  強誘電性 ,  *強誘電体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ハードウェア ,  化学蒸着 ,  *単分子層 ,  二次元 ,  記憶素子 ,  媒質

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 抵抗スイッチング ,  チャネル ,  CVD ,  単分子層 ,  強誘電体メモリ ,  電界効果トランジスタ