文献

J-GLOBAL ID：202002241162854249   整理番号：20A2629070

ハイブリッド高出力インパルスと高周波マグネトロン共スパッタリングを用いたCr-Si-N被覆の作製:Si取込みとデューティサイクルの役割【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of Cr-Si-N coatings using a hybrid high-power impulse and radio-frequency magnetron co-sputtering: The role of Si incorporation and duty cycle

著者 (6件)： Diyatmika Wahyu (Department of Precision Surfaces, Leibniz Institute of Surface Engineering (IOM), Leipzig, Germany) ,  Cheng Chih-Yuan (Department of Materials Engineering, Ming Chi University of Technology, New Taipei City, Taiwan) ,  Lee Jyh-Wei (Department of Materials Engineering, Ming Chi University of Technology, New Taipei City, Taiwan) ,  Lee Jyh-Wei (Center for Plasma and Thin Film Technologies, Ming Chi University of Technology, New Taipei City, Taiwan) ,  Lee Jyh-Wei (Department of Mechanical Engineering, Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan) ,  Lee Jyh-Wei (Plastic and Reconstructive Surgery, and Craniofacial Research Center, Chang Gung Memorial Hospital, Taoyuan, Taiwan)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 403  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cr-Si-N薄膜を,ArとN_2混合物中の高出力インパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)と高周波(RF)マグネトロンを含むハイブリッド堆積システムによって首尾よく作製した。Cr-Si-N膜の堆積速度は,RFの電力とHiPIMSのデューティサイクルの増加と共に増加することがわかった。HiPIMSデューティサイクルとRF電力の両方の変化は,得られたCr-Si-N膜のSi含有量の変化をもたらし,薄膜中のSi含有量が重要なパラメータであることを示した。2.5%のデューティサイクル,1000Hzの繰返し周波数,500WのHiPIMS平均電力,および450WのRF電力で成長させたCr-Si-N膜は,14.2at%の最高Si含有量,31.5GPaの硬度,292GPaの弾性率,0.1079の破損値,および8nmの最小粒径,0.7nmの平均表面粗さ,および0.50×10-6mm3/N-mの摩耗率を示した。改善された膜特性は,主にSi元素の取込みに起因する。より重要なことに,柱状CrN粒の境界に偏析した非晶質Si_3N_4(Si-N)相を形成するため,固溶体(Cr,Si)N相またはN原子と反応する余分なSi原子を形成するためのCrN粒中のSi原子の存在は,薄膜の微細構造および機械的特性に強い影響を与える。HiPIMSのより低いデューティサイクルとより高いSi含有量は,本研究においてCr-Si-N膜の結晶粒微細化と強化された機械的性質に相乗効果を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 機械的性質 ,  固溶体 ,  弾性係数 ,  薄膜 ,  偏析 ,  電力 ,  アルゴン ,  *ケイ素 ,  *被覆 ,  *マグネトロン ,  *HF【周波数】 ,  非晶質 ,  堆積速度
準シソーラス用語： 繰返し周波数 ,  *デューティサイクル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Cr-Si-N膜 ,  高出力インパルスマグネトロンスパッタリング ,  高周波マグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (11件)： 高出力 ,  インパルス ,  高周波 ,  マグネトロン ,  共スパッタリング ,  Cr ,  Si ,  作製 ,  取込み ,  デューティサイクル ,  役割