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J-GLOBAL ID：202002241184381852   整理番号：20A0866798

Ge量子ドット光ルミネセンス波長と励起子寿命における窒化物-ストレスまたは量子サイズ工学【JST・京大機械翻訳】

Nitride-stressor and quantum-size engineering in Ge quantum-dot photoluminescence wavelength and exciton lifetime

著者 (8件)： Kuo Yu-Hong (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan,People’s Republic of China) ,  Chiu Shih-Hsuan (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan,People’s Republic of China) ,  Tien Che-Wei (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan,People’s Republic of China) ,  Lin Sheng-Di (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan,People’s Republic of China) ,  Chang Wen-Hao (Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan, People’s Republic of China) ,  George Thomas (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan,People’s Republic of China) ,  Lin Horng-Chih (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan,People’s Republic of China) ,  Li Pei-Wen (Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan,People’s Republic of China)
資料名： Nano Futures  (Nano Futures)
巻： 4  号： 1  ページ： 015001 (9pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5572A  ISSN： 2399-1984  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光ルミネセンス(PL)波長と励起子寿命を調整するために,Ge量子ドット(QD)における量子サイズ可同調性と組み合わせた局所窒化物-ストレッサ工学を報告した。熱成長SiO_2の層内に埋め込まれた25~90nmの範囲の調整可能な直径を有する球状Ge QDと化学蒸着Si_3N_4を,自己組織化アプローチにおいて,SiO_2とSi_3N_4のバッファ層の上に,それぞれリソグラフィー的にパターン化したポリSi_0.85Ge_0.15ピラーの熱酸化により作製した。Ge QDの歪と光学的性質に及ぼす局所ストレッサーと量子閉込めの影響をRamanとPL測定を用いて系統的に調べた。Ge QD直径が60nmより小さくなると,量子閉じ込めはPL波長と励起子寿命に大きく影響することを観測した。著者らの自己組織化Ge QD/Si_3N_4システムは,Si_3N_4プラットフォーム上の能動フォトニック素子の作製のための一般的な構築ブロックを提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  *光ルミネセンス ,  *ゲルマニウム ,  *窒化物 ,  *波長 ,  化学蒸着 ,  自己組織化 ,  パターン形成 ,  バッファ層 ,  *量子ドット ,  熱酸化 ,  量子閉込め ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： フォトニックデバイス ,  チューナビリティ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (10件)： Ge ,  量子ドット ,  光ルミネセンス ,  波長 ,  励起子寿命 ,  窒化物 ,  ストレス ,  量子 ,  サイズ ,  工学