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J-GLOBAL ID:202002241364783701   整理番号:20A0419694

Si上のAlGaN/GaNヘテロ構造におけるバッファ誘起電流劣化を抑制するためのデュアルチャネル設計【JST・京大機械翻訳】

Dual-channel design to suppress buffer induced current degradation in AlGaN/GaN heterostructures on Si
著者 (4件):
資料名:
巻: 31  号: 11  ページ: 115202 (4pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Si上のAlGaN/GaNベースのヘテロ構造におけるバッファ誘起電流劣化を抑制するために,二重2DEG(二次元電子ガス)チャネル構造を設計した。エピタキシャル構造は二つのAlGaN/GaN界面を含み,各界面に二つの2DEGチャネルを誘起する。上部2DEGチャネルは電流輸送チャネル(作動チャネル)として作用し,一方底部チャネルはバッファ電荷誘起電場を遮蔽するために使用される。したがって,上部チャネルにおける電流はバッファ層におけるトラッピング現象に関して安定に保たれる。パルスストレス測定とバックゲーティング掃引測定を行い,デュアルチャネル構造の電流安定性を評価した。比較として,通常の単一チャネルAlGaN/GaNヘテロ構造も試験した。パルス応力測定における二重チャネル構造の電流安定性は単一チャネル試料より良好であった。バックゲーティング掃引測定結果は,底部チャネルの電場遮蔽機構をさらに確認した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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発光素子  ,  半導体薄膜 

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