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J-GLOBAL ID：202002241398201730   整理番号：20A1425582

蛍石構造に基づく強誘電体HfO_2メモリFeFETの温度依存性動作に関する研究:焦電性と信頼性【JST・京大機械翻訳】

A Study on the Temperature-Dependent Operation of Fluorite-Structure-Based Ferroelectric HfO₂ Memory FeFET: Pyroelectricity and Reliability

著者 (18件)： Ali T. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Kuhnel K. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Czernohorsky M. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Mart C. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Rudolph M. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Patzold B. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Lehninger D. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Olivo R. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Lederer M. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Muller F. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Hoffmann R. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Metzger J. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Company KG, Dresden, Germany) ,  Binder R. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Company KG, Dresden, Germany) ,  Steinke P. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Kampfe T. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Muller J. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Company KG, Dresden, Germany) ,  Seidel K. (Center Nanoelectronic Technologies (CNT), Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Eng L. M. (Institut fuer Angewandte Physik, Technische Universitaet Dresden, Dresden, Germany)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 67  号： 7  ページ： 2981-2987  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,Siドープ酸化ハフニウム(HSO)強誘電体FET(FeFET)出現メモリの高温動作と信頼性について報告する。本研究では,FeFET上の強誘電性(FE)材料の高温動作の役割を40≦λ120°Cの温度範囲で調べた。温度に対する逆メモリウィンドウ(MW)依存性は120°Cで非常に小さいMWサイズ(ΔΔ300mV)をもたらす。室温(RT)でのMWサイズの回復は,高温運転時のMW閉鎖の原因として,潜在的焦電効果を示した。FeFET状態読出しは,残留分極の減少と基板V_thシフトの改善により,erase(ER)閾値電圧(V_th)シフトに対して顕著な効果を示した。温度範囲(-40°Cから40°C)で10SiW5≦550サイクルで測定した耐久信頼性は,低温で最大初期MWを示し,一方,より高いポストサイクリング界面トラップ発生は,温度上昇とともに発生した。0°Cと40°CでのFeFET10時間保持試験を10年間外挿し,温度に依存しない安定特性を示した。FeFETスタックパラメータに対する脱分極場(E_d)依存性を解析式に基づいて研究した。E_dはFE,界面層(IL)の誘電率の増加およびFE膜厚の増大に伴って減少した。基板ドーピングと温度は,E_dに小さな影響を与えるようであるが,一方,1以下のFE|ΔIL面積比同調は,E_dを下回った。FeFETメモリと動作温度誘起耐久性と保持信頼性に関する焦電効果の役割を論じた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *強誘電体 ,  高温 ,  低温 ,  誘電率 ,  *信頼性 ,  強誘電性 ,  同調 ,  *温度依存性 ,  ドーピング ,  酸化ハフニウム ,  残留分極
準シソーラス用語： 界面層 ,  閾値電圧 ,  *FeFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 蛍石構造 ,  強誘電体 ,  FeFET ,  温度依存性 ,  研究