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J-GLOBAL ID：202002241589225577   整理番号：20A2254440

汚染とエージング条件下のSiR絶縁体のDCフラッシュオーバに及ぼす蓄積表面電荷の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of accumulated surface charges on DC flashover of SiR insulators under pollution and aging conditions

著者 (3件)： Mahmoodi Jamshid (Faculty of Electrical and Computer Engineering, Babol Noshirvani University of Technology, Babol, Iran) ,  Mirzaie Mohammad (Faculty of Electrical and Computer Engineering, Babol Noshirvani University of Technology, Babol, Iran) ,  Shayegani Akmal Amir Abbas (Faculty of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran)
資料名： Electrical Engineering  (Electrical Engineering)
巻： 102  号： 4  ページ： 2123-2133  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0448A  ISSN： 0948-7921  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,表面電荷の存在における汚染およびエージング条件下でのシリコーンゴム(SiR)碍子のDCフラッシュオーバ挙動の測定およびモデリングを示した。この目的のために,4種類の標準HTV-SiR絶縁体を選択し,次に,DCフラッシュオーバ性能を,非時効,および汚染条件を含む3つの状態で,研究した碍子について,表面電荷の存在下で実施した。碍子の表面は,実験テストにおいて外部コロナ源によって帯電して,次に,表面電荷を測定した。DCフラッシュオーバ電圧の実験結果は,正と負の表面電荷がすべての状態でフラッシュオーバ性能に影響を及ぼすことを示した。DCフラッシュオーバ性能の得られた経験的モデルに基づいて,増加した時効時間,正の電荷,汚染,および平均直径は,DCフラッシュオーバ性能を低下させ,一方,シェッド間隔と負の電荷の比は,フラッシュオーバー電圧レベルを強化すると結論づけることができる。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 時効 ,  電圧 ,  格納庫 ,  碍子 ,  *フラッシュオーバ ,  *表面電荷 ,  *絶縁体

著者キーワード (5件)： 表面電荷 ,  SiR絶縁体 ,  DC Falshover ,  汚染 ,  老化

分類 (2件)： 絶縁材料  (NA04030W) ,  気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 汚染 ,  エージング ,  SIR ,  絶縁体 ,  DC ,  フラッシュオーバ ,  蓄積 ,  表面電荷