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J-GLOBAL ID：202002241744356533   整理番号：20A2018294

単層二硫化モリブデンの成長機構を明らかにするための化学蒸着の高温その場研究【JST・京大機械翻訳】

High-Temperature In Situ Investigation of Chemical Vapor Deposition to Reveal Growth Mechanisms of Monolayer Molybdenum Disulfide

著者 (7件)： Xue Hao (Institute of Functional Crystals, and Tianjin Key Laboratory of Functional Crystal Materials, Tianjin University of Technology, China) ,  Wu Guozheng (Institute of Functional Crystals, and Tianjin Key Laboratory of Functional Crystal Materials, Tianjin University of Technology, China) ,  Zhao Bojin (Institute of Functional Crystals, and Tianjin Key Laboratory of Functional Crystal Materials, Tianjin University of Technology, China) ,  Wang Di (Institute of Functional Crystals, and Tianjin Key Laboratory of Functional Crystal Materials, Tianjin University of Technology, China) ,  Wang Di (Physics and Electronic Engineering School, Jiangsu Second Normal University, China) ,  Wu Xiaoming (Laboratory of Display Materials and Photoelectric Device (Ministry of Education), and Laboratory for Photoelectric Materials and Devices & National Demonstration Center for Experimental Function Materials Education, Tianjin University of Technology, China) ,  Hu Zhanggui (Institute of Functional Crystals, and Tianjin Key Laboratory of Functional Crystal Materials, Tianjin University of Technology, China)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 7  ページ： 1925-1933  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着(CVD)のin situ研究は遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)の成長メカニズムを理解し,高品質の単層単結晶を成長させるための技術を開発するのに極めて重要である。しかし,TMD CVD成長は還元環境により高温で行われるので,in situ研究は実際に大きな課題である。本研究では,CVD成長のためのその場調査システムを開発し,SiO_2/Si基板上の単層MoS_2堆積のリアルタイム観察を提示した。単分子層MoS_2は蒸気状態前駆体反応により成長し,基質上の前核形成サイトから結晶化し,中間相MoO_2は核形成シードに必須であったが,ポピュレーション密度は制御すべきであり,高濃度S蒸気はMoS_2の面内エピタキシャル成長を促進した。したがって,コンパクトな形状を有する高品質単層を得ることは,非常に有益であった。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  核形成 ,  結晶化 ,  *高温 ,  単結晶 ,  単分子層 ,  基質 ,  二次元 ,  *化学蒸着 ,  前駆体 ,  中間相 ,  Raman分光法
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  シリコンウエハ ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 2D材料 ,  in situ研究 ,  Raman分光法 ,  化学蒸着 ,  結晶成長機構 ,  マイクロ炉 ,  遷移金属ジカルコゲナイド

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層 ,  硫化モリブデン ,  成長 ,  化学蒸着 ,  研究