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J-GLOBAL ID：202002241761136435   整理番号：20A1235859

WS₂-MoS₂のvan der Waalsヘテロ構造における層間結合の低周波Raman研究

Low frequency Raman study of interlayer couplings in WS₂-MoS₂ van der Waals heterostructures

著者 (7件)： Saito Yuika (Department of Chemistry, Gakushuin University, Mejiro, Toshima, Tokyo 171-0031, Japan) ,  Kondo Takahiro (Department of Chemistry, Gakushuin University, Mejiro, Toshima, Tokyo 171-0031, Japan) ,  Ito Hiroki (Department of Chemistry, Gakushuin University, Mejiro, Toshima, Tokyo 171-0031, Japan) ,  Okada Mitsuhiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan) ,  Shimizu Tetsuo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan) ,  Kubo Toshitaka (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan) ,  Kitaura Ryo (Department of Chemistry, Nagoya University, Furo-cho, Nagoya, Aichi 464-8602, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 6  ページ： 062004 (6pp)  発行年： 2020年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WS₂-MoS₂のvan der Waalsヘテロ構造における層間結合を,低周波共鳴Raman分光法で研究した。高周波Ramanモードと低周波Ramanモードとの関係を調べた。層間せん断モードのRaman強度は,2つのモードA_1gとE_2g¹の強度と線形相関を示した。これら2つのモードA_1gとE_2g¹間の周波数差も調べた。顕微鏡測定は,強度比A_1g/E_2g¹が空間的に不均一な電子ポテンシャルによって敏感に変調されることを示した。一方,A_1g-E_2g¹は安定で,層数と層積層配置によって決定された。したがって,両方のパラメータは,van der Waalsヘテロ構造の品質を議論するために独立して使用することができる。著者らの発見は,Raman分光法を用いたvan der Waalsヘテロ構造の層間結合を研究するための便利なマーカーを提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： タングステン化合物 ,  硫化物 ,  *硫化モリブデン ,  素子構造 ,  *ヘテロ接合 ,  van der Waals力 ,  多層膜 ,  LF【周波数】 ,  *Raman分光法 ,  Raman強度 ,  顕微鏡
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  層間結合 ,  *硫化タングステン

分類 (2件)： その他の接合  (BM03088W) ,  赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  (BD07042H)

タイトルに関連する用語 (6件)： MoS2 ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  層間結合 ,  低周波 ,  研究