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J-GLOBAL ID：202002241890589588   整理番号：20A2501372

歪緩和制御によるAlGaN系深紫外発光ダイオードの電流注入効率の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of current injection efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes by controlling strain relaxation

著者 (3件)： Hao Guo-Dong (Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT), Kobe 651-2492, Japan) ,  Taniguchi Manabu (Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT), Kobe 651-2492, Japan) ,  Inoue Shin-Ichiro (Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT), Kobe 651-2492, Japan)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 50  ページ： 505107 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気的に注入されたAlGaNベースの深紫外発光ダイオード(DUV-LED)における外部量子効率(EQE)は,それらの不十分な電流注入効率(CIE)によって厳しく制限される。p-AlGaN正孔注入層(HIL)と電子ブロッキング層(EBL)における歪緩和の制御によるCIEの改善について報告する。シミュレーション結果は,EBLの緩和歪に関連したHILにおける緩和歪がCIEを有意に増強できることを示した。より深い解析は,高正孔濃度が,歪誘起圧電場によってHIL/EBL界面で発生でき,次に,量子井戸への注入のために豊富な数の穴を提供できることを示した。200から20nmまでのHIL厚さを変えることによって,p-AlGaN HILにおける異なる歪緩和のために,2つのサブ280nmDUV-LEDを,特定の設計で製作した。歪差をRaman分光法により同定した。エレクトロルミネセンス測定は歪-HIL DUV-LEDにおいてはるかに高いEQEを示した。3つの効率,すなわちCIE,放射再結合効率および光抽出効率のEQE寄与を分離することにより,EQE増強は主に改善されたCIEに起因し,これはシミュレーション結果と良く一致した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  界面 ,  シミュレーション ,  圧電気 ,  *緩和現象 ,  量子井戸 ,  Raman分光法
準シソーラス用語： *歪緩和 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  外部量子効率 ,  正孔注入 ,  光取出し効率 ,  *深紫外発光ダイオード ,  正孔濃度 ,  放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪緩和 ,  AlGaN ,  深紫外発光ダイオード ,  電流注入 ,  増強