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J-GLOBAL ID：202002241994011307   整理番号：20A0955752

高性能リチウム貯蔵のためのセレン空格子点リッチで炭素フリーのVSe_2ナノシート【JST・京大機械翻訳】

Selenium vacancy-rich and carbon-free VSe₂ nanosheets for high-performance lithium storage

著者 (6件)： Jiang Qiwang (Key Laboratory of Cluster Science, Ministry of Education of China, School of Chemistry and Chemical Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China. [e-mail]) ,  Wang Jie ,  Jiang Yan ,  Li Long ,  Cao Xingzhong ,  Cao Minhua
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 12  号： 16  ページ： 8858-8866  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VSE_2は金属伝導率を持つ典型的な遷移金属ジカルコゲナイドであり,リチウムイオン電池(LIB)用の有望な電極材料となる。しかし,電気化学的応用のためのVSe_2ナノ材料へのさらなる研究は,相純粋なVSe_2の合成の実用的困難さによって深刻に妨げられてきた。本研究では,Se空孔リッチVSe_2ナノシートを,適切な反応物を用いた一段階ソルボサーマル法により合成した。ヒドラジン水和物の強い還元能力から利益を得て,V4+は部分的にV3+に還元され,得られたままのVSe_2ナノシートにおいてその場発生する豊富なSe空格子点をもたらした。陽電子消滅寿命分光法,X線吸収分光法および光ルミネセンス分光法はすべてSe空格子点の存在を確認した。LIBsのアノード材料として適用した場合,VSe_2ナノシートは100サイクル後に0.1Ag(-1)で1020mAhg(-1)の顕著な可逆容量を示し,2Ag(-1)でさえも430mAhg(-1)の高い比容量に達した。電気化学的特性化により,VSe_2ナノシート中のSe空孔はリチウムイオン拡散速度を著しく増強し,良好なリチウム貯蔵性能の原因となる電気化学的活性部位の数を増加させることを明らかにした。本研究は,将来の持続可能な開発のための要求を満たすために,LIBsのための他の高性能電極材料の合理的な設計のための代替アプローチを提供する可能性がある。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  *セレン ,  活性部位 ,  電極材料 ,  電気化学 ,  持続可能な開発 ,  リチウムイオン電池 ,  ナノ材料 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： ソルボサーマル合成 ,  電気化学的特性 ,  リチウムイオン ,  アノード材料【電池】 ,  比容量 ,  可逆容量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  二次電池  (YB04030K) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  リチウム貯蔵 ,  セレン ,  空格子点 ,  炭素 ,  ナノシート