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J-GLOBAL ID：202002242417662034   整理番号：20A0669631

反応性イオンエッチングを用いた自立ナノメートル厚Si_3N_4膜の制御された段階的および局所的薄化【JST・京大機械翻訳】

Controlled gradual and local thinning of free-standing nanometer thick Si₃N₄ films using reactive ion etch

著者 (4件)： Guzel Fatma Dogan (Department of Biomedical Engineering, Ankara Yildirim Beyazit University, Ankara, Turkey) ,  Guzel Fatma Dogan (Department of Chemistry, Imperial College London, London, UK) ,  Pitchford William H. (Department of Chemistry, Imperial College London, London, UK) ,  Kaur Jaspreet (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ankara Yildirim Beyazit University, Ankara, Turkey)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 26  号： 4  ページ： 1167-1172  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノメートルスケールのデバイスは,過去数10年の間に多数の製造技術を用いて作製されている。しかし,ナノテクノロジーにおける進歩は,制御された方法でナノメートルスケールのデバイスを開発するための新しい層を与えるが,コストと時間の有効性により高い精度と精度を提供する。本論文は,Reactive Ion Etch技術を用いた自立ナノスケール厚Si_3N_4膜の製造に焦点を合わせた。Si_3N_4をエッチングするために必要な条件に関する文献には多くの報告があるが,詳細な最適化ステップと共にステップ毎の製造と特性化を説明する多くの技術的報告はない。本研究では,制御RF電力条件においてCF_4/Arを用いて膜の薄化を達成し,いくつかの予備的最適化ステップを用いて明確なプロトコルを与えた。そうすることによって,約20nmの厚さの自立的に局所的に薄くなったSi_3N_4膜を,正確な方法で実現することに成功した。更なる評価は,必要な注意を持つ試料を特性化する方法に対する興味のある読者に提供される。ここで与えられた詳細な手順は,ナノ加工の分野で働く研究者のための実用的な側面を提供する可能性がある。Copyright Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ナノメータ加工 ,  有効性 ,  最適化 ,  ナノテクノロジー ,  生産技術 ,  RIE【エッチング】 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反応性イオンエッチング ,  自立 ,  厚 ,  段階