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J-GLOBAL ID：202002242463023085   整理番号：20A2698432

高電圧応用のための金属-有機化学蒸着-再成長接触を有する高電子移動度トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High-electron-mobility transistors with metal-organic chemical vapor deposition-regrown contacts for high voltage applications

著者 (8件)： Koksaldi Onur S (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, CA, United States of America) ,  Romanczyk Brian (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, CA, United States of America) ,  Haller Jeffrey (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, CA, United States of America) ,  Haller Jeffrey (Transphorm, Inc., 115 Castilian Dr, Goleta, CA, United States of America) ,  Guidry Matthew (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, CA, United States of America) ,  Li Haoran (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, CA, United States of America) ,  Keller Stacia (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, CA, United States of America) ,  Mishra Umesh K (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, CA, United States of America)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 12  ページ： 124004 (5pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-有機化学蒸着(MOCVD)によって再成長したソースとドレイン接触を,高電圧スイッチング応用を目標とする窒素極性GaN金属-絶縁体-半導体(MIS)高電子移動度トランジスタ(HEMT)で首尾よく使用した。N極性GaNデバイスに関する以前の研究は,合金化オーム接触,または分子線エピタキシー(MBE)によって再成長したオーム接触のいずれかを利用した。MBE再成長を用いて,超低接触抵抗(R_C)を実証した。本研究では,MOCVDを接触再成長に用い,MBE成長段階の必要性を除去した。0.16Ωmmの金属対2DEG(2次元電子ガス)接触抵抗(R_C)が実証され,これはMBEによって再成長した接触に対して以前報告された超低接触抵抗に匹敵した。この技術を用いて作製したN-PolarMISHEMTは2000V以上の絶縁破壊電圧を達成し,3.5mΩcm2(8.8Ωmm)の比オン抵抗(R_ON)と400Vで12%の動的R_ON増加を達成した。ドレイン電流密度は,L_G=1μm,L_GS=1μm,L_GD=28μm,およびW_G=50μmのデバイス寸法に対してV_GS=1Vで620mAmm-1であった。MOCVDによる接触再成長の成功はN極性トランジスタの採用を容易にする。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接触抵抗 ,  *トランジスタ ,  半導体 ,  合金化 ,  窒化ガリウム ,  Ohm接触 ,  MOCVD ,  MBE成長 ,  *HEMT ,  二次元電子ガス ,  オン抵抗 ,  絶縁体
準シソーラス用語： *再成長 ,  ドレイン電流 ,  絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高電圧 ,  応用 ,  有機化学 ,  蒸着 ,  再成長 ,  高電子移動度トランジスタ