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J-GLOBAL ID：202002242937826481   整理番号：20A0746752

欠陥の多いEu_2znSb_2-xBi_x合金における例外的に高い電子移動度【JST・京大機械翻訳】

Exceptionally high electronic mobility in defect-rich Eu₂ZnSb_2-xBi_x alloys

著者 (8件)： Chanakian Sevan (Department of Chemical Engineering and Materials Science, Michigan State University, East Lansing, MI 48824, USA. [e-mail]) ,  Uhl David ,  Neff David ,  Drymiotis Fivos ,  Park Junsoo ,  Petkov Valeri ,  Zevalkink Alexandra ,  Bux Sabah
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 8  号： 12  ページ： 6004-6012  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Zintl化合物Eu_2ZnSb_2は,低い格子熱伝導率と高い電子移動度のために,823KでzT~1の有望な熱電性能指数を持つことが最近示された。本研究では,Eu_2ZnSb_2-xBi_x系列(x=0,0.25,1,2)におけるSbサイト上のBiとの等原子価合金化により,電子移動度への更なる増加と格子熱伝導率への同時減少を達成できることを示した。Biとの合金化により,有効質量は減少し,移動度は直線的に増加し,合金散乱による還元の兆候を示さなかった。シンクロトロンX線回折から得られた対分布関数の解析は,この構造型における半占有Znサイトに起因する顕著な局所構造歪を明らかにした。それは,すべて,より驚くべきことであり,したがって,Eu_2ZnBi_2は,AM_2X_2Zintl化合物のそれに匹敵する高い電子移動度(~100cm2V~-1s-1)を有することを見出した。この系列における大きな無秩序度は例外的に低い格子熱伝導率をもたらし,これは音速の減少によるBi置換によりさらに減少する。Bi含有量の増加はバンドギャップを減少させたが,キャリア濃度を2桁増加させた。単一放物線バンドモデルを適用することにより,Eu_2ZnSb_2-xBi_xのBiリッチ組成がzTを著しく改善する可能性を有することを示唆した。しかし,高zTを実現するためには,キャリア濃度の低減を通して更なる最適化が必要である。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  有効質量 ,  原子価 ,  音速 ,  キャリア密度 ,  合金化 ,  バンドギャップ ,  散乱 ,  *合金 ,  *ビスマス ,  *移動度
準シソーラス用語： 対分布関数 ,  熱電性能指数 ,  格子熱伝導率 ,  *電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 欠陥 ,  合金 ,  電子移動度