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J-GLOBAL ID：202002243019727262   整理番号：20A1156768

大ダイナミックレンジエピタキシャル抵抗消光型シリコン光電子増倍器【JST・京大機械翻訳】

Large dynamic range silicon photomultiplier with epitaxial quenching resistor

著者 (7件)： Liu Hongmin (北京師范大学核科学与技術学院新器件実験室,北京,100875) ,  Long Jinyan (北京師范大学核科学与技術学院新器件実験室,北京,100875) ,  Dai Lei (北京師范大学核科学与技術学院新器件実験室,北京,100875) ,  Zhang Xingan (北京師范大学核科学与技術学院新器件実験室,北京,100875) ,  Liang Kun (北京師范大学核科学与技術学院新器件実験室,北京100875;集成光電子学国家重点実験室,北京100083) ,  Yang Ru (北京師范大学核科学与技術学院新器件実験室,北京,100875) ,  Han Dejun (北京師范大学核科学与技術学院新器件実験室,北京,100875)
資料名： Guangxue Jingmi Gongcheng  (Guangxue Jingmi Gongcheng)
巻： 28  号： 3  ページ： 535-541  発行年： 2020年 
JST資料番号： C2090A  ISSN： 1004-924X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： エピタキシャル抵抗クエンチング型シリコン光電子増倍器(EQRSiPM)の特徴はシリコン基板エピ層を利用してデバイスの消光抵抗を作ることである。大ダイナミックレンジEQRSiPMの光子検出効率をさらに向上させ、充填因子が低く、利得が小さいなどの問題を解決するために、前期研究に基づき、マイクロセルサイズがそれぞれ15μmと7μmのEQRSiPMを開発した。活性領域の面積は1mm×1mmであった。EQRSiPMのマイクロセルサイズを変えることにより,充填因子を最適化し,検出効率および利得を効果的に改善し,そして,マイクロセル密度は,それぞれ,4400個/mm2および23200個/mm2であり,そして,依然として,大きなダイナミックレンジを維持した。室温(20°C)において,5Vの過バイアスEQRSiPMは,少なくとも13の光電子を分解した。15μmと7μmEQRSiPMの利得はそれぞれ5.1×105と1.1×105であり、400nm波長でのピーク光検出効率はそれぞれ40%と34%に達した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  最適化 ,  *消光 ,  波長 ,  活性部位 ,  *電子増倍管 ,  利得 ,  *ダイナミックレンジ ,  バイアス ,  検出効率 ,  クエンチ ,  *光電子
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  マイクロセル ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 光学情報処理  (BD03060T) ,  光デバイス一般  (BD06010L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 消光 ,  シリコン ,  電子増倍器