文献

J-GLOBAL ID：202002243788793567   整理番号：20A1184174

不揮発性強誘電分域により制御されたプログラム可能な遷移金属ジカルコゲン化物ホモ接合【JST・京大機械翻訳】

Programmable transition metal dichalcogenide homojunctions controlled by nonvolatile ferroelectric domains

著者 (25件)： Wu Guangjian (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Wu Guangjian (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering and Applied Science, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Tian Bobo (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Tian Bobo (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE), Department of Electronics, East China Normal University, Shanghai, China) ,  Liu Lan (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Liu Lan (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, China) ,  Lv Wei (School of Electronic Science and Engineering, Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Solid-State Lighting and Energy-Saving Electronics, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Wu Shuang (State Key Laboratory of Surface Physics, Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE) and Department of Physics, Fudan University, Shanghai, China) ,  Wang Xudong (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Chen Yan (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Li Jingyu (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, China) ,  Wang Zhen (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Wu Shuaiqin (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Shen Hong (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Lin Tie (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Zhou Peng (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, China) ,  Liu Qi (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Duan Chungang (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE), Department of Electronics, East China Normal University, Shanghai, China) ,  Zhang Shantao (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Materials Science and Engineering, College of Engineering and Applied Science, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Meng Xiangjian (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Wu Shiwei (State Key Laboratory of Surface Physics, Key Laboratory of Micro and Nano Photonic Structures (MOE) and Department of Physics, Fudan University, Shanghai, China) ,  Hu Weida (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Wang Xinran (School of Electronic Science and Engineering, Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Collaborative Innovation Center of Solid-State Lighting and Energy-Saving Electronics, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Chu Junhao (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Wang Jianlu (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
資料名： Nature Electronics  (Nature Electronics)
巻： 3  号： 1  ページ： 43-50  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4776A  ISSN： 2520-1131  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)遷移金属ジカルコゲニドに基づく半導体デバイスは,シリコン相補金属-オキシド-半導体(CMOS)技術のスケーリング限界を克服するのに役立つ。しかしながら,原子的に薄いデバイスの開発は,2D半導体におけるキャリア型を制御するためのアプローチを必要とする。ここでは,キャリア注入を定義し,p型およびn型ドーピングを達成するために,2D遷移金属ジカルコゲニド上に堆積した強誘電体高分子の分極を制御するために走査プローブを用いることができることを示した。このアプローチにより,横方向p-n,n-p,n-nおよびp-pホモ接合を任意に形成し,変化させることができた。この方法を用いて作製した二テルル化モリブデン(MoTe_2)p-nホモ接合素子は,10~3の高電流整流比と良好な光電子特性(1.5AW-1の応答性)を示した。従来の不揮発性メモリ素子も,物理的ソース,ドレインまたはゲート電極の制限なしに,電気書込みおよび光学読取メモリ素子のような構成され,100秒のリフレッシュ時間と10μsの書込み/消去速度をもつ準不揮発性メモリである。二次元遷移金属ジカルコゲニドの表面上に堆積した強誘電体高分子の分極を制御するために走査プローブを用いることにより,横方向p-n接合に基づいて光電子および非従来型メモリ素子を作製することができた。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Nature Limited 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  接合 ,  半導体 ,  半導体素子 ,  応答特性 ,  酸化物 ,  記憶素子 ,  高分子 ,  *強誘電分域 ,  二次元 ,  キャリア注入 ,  不揮発性メモリ ,  光電子 ,  CMOS
準シソーラス用語： ゲート電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不揮発性 ,  強誘電分域 ,  遷移金属ジカルコゲン化物 ,  ホモ接合