文献

J-GLOBAL ID：202002244494181514   整理番号：20A0471567

超低逆電流と高感度のAu-InSe van der Waals Schottky接合【JST・京大機械翻訳】

Au-InSe van der Waals Schottky junctions with ultralow reverse current and high photosensitivity

著者 (10件)： Hu Siqi (MOE Key Laboratory of Material Physics and Chemistry under Extraordinary Conditions, and Shaanxi Key Laboratory of Optical Information Technology, School of Physical Science and Technology, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710129, China. [e-mail]) ,  Zhang Qiao ,  Luo Xiaoguang ,  Zhang Xutao ,  Wang Tao ,  Cheng Yingchun ,  Jie Wanqi ,  Zhao Jianlin ,  Mei Ting ,  Gan Xuetao
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 12  号： 6  ページ： 4094-4100  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 整流性金属-半導体界面から成るSchottky接合は,マイクロエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス素子のための不可欠な要素である。しかし,かなりの逆トンネリング電流のために,典型的なSchottky接合は高い検出能を持つ光検出器のような高い信号対雑音比を必要とする素子に広く適用できない。ここでは,van der Waals(vdW)Schottky接合を多層セレン化インジウム(InSe)ナノシート上に金(Au)電極を機械的に積層することにより構築した。これはサブピコ秒で超低逆電流を示し,室温で10~6を超える優れた整流比を示した。熱電子放出輸送モデルに対応する逆電流は印加逆バイアスに依存しない。結果として,Au-InSe vdW Schottky接合素子は2.4×10~15Jones以上の光検出能を有する超高感度光検出器として機能でき,853AW-1の光応答性と1×107を超える光/オフ比に対応した。本研究は,vdW Schottky接合に基づく高い信号対雑音比をもつ電子および光電子デバイスを研究するためのアイデアを提供する。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高感度 ,  ナノシート ,  多層 ,  接合 ,  光検出器 ,  SN比 ,  *整流 ,  熱電子放出 ,  マイクロエレクトロニクス
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  整流比 ,  セレン化インジウム ,  トンネル電流 ,  *Schottky接合 ,  金属-半導体界面 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 逆電流 ,  高感度 ,  Au ,  InSe ,  VAN ,  Schottky接合