文献
J-GLOBAL ID:202002244730931523   整理番号:20A0537760

2D半導体における熱輸送-デバイス応用のための考察【JST・京大機械翻訳】

Thermal Transport in 2D Semiconductors-Considerations for Device Applications
著者 (6件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: e1903929  発行年: 2020年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
グラフェンの発見は,多くのこれらの層状材料によって示される豊富な物理学と異常な特性のために,他の2D材料への探索と研究を刺激した。多くの他の間の遷移金属ジカルコゲニド(TMD),黒リン,およびSnSeは,有望な応用の全ホストに利用できる高度に調整可能な物理的および化学的性質を示すことが明らかになっている。このような2D半導体の新しい電子的および光学的性質に沿って,それらの熱輸送特性もかなりの注目を引き付けている。ここでは,種々の出現する2D半導体のユニークな熱輸送特性の包括的レビューを提供した。それらは,他の間のTMD,ブラックおよびブルー-ホスホレン,およびそれらの熱伝導率特性の基礎となる異なる機構を含んでいる。光電子と熱トランジスタ素子における熱電発電と電子-フォノン結合効果を含む,二次元半導体材料とそれらのヘテロ構造に基づく種々の応用で遭遇するフォノン関連現象と問題に焦点を置いた。次世代ナノ電子デバイスの熱管理を知らせるための2D半導体材料におけるフォノン輸送物理の完全な理解を,熱エネルギー輸送と変換を制御するための戦略と共に包括的に提示した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る