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J-GLOBAL ID：202002245495442104   整理番号：20A1688815

Znドープ炭素材料への塩化水素の吸着に関する量子化学研究【JST・京大機械翻訳】

Quantum chemical study on adsorption of hydrogen chloride on Zn-doped carbon materials

著者 (2件)： Shinohara Yuji (Center for Advanced Research of Energy and Materials, Hokkaido University, Sapporo, Hokkaido 060-8628, Japan) ,  Tsubouchi Naoto (Center for Advanced Research of Energy and Materials, Hokkaido University, Sapporo, Hokkaido 060-8628, Japan)
資料名： Environmental Technology & Innovation  (Environmental Technology & Innovation)
巻： 19  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3045A  ISSN： 2352-1864  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100および300°CでのZnドープO_2活性炭(AC)上へのHCl吸着の以前の研究で,Znドープ炭素は未ドープ炭素よりも遥かに多くのHClを吸着することを明らかにした。しかし,ACの吸着能力とHClの吸着安定性の機構に及ぼす金属の影響は,まだ明らかにされていない。ここでは,3つの炭素活性部位モデル(Armchair,ZigzagおよびTip型)に対する分子軌道(RHF/6-31G*)計算を用いて,電子状態の推定によるHCl吸着に及ぼすZnドーピングの影響を調べた。Znドーピングの有無による炭素材料の分子モデルは,Znの存在がHCl分子の化学吸着に利用できる活性部位の数を増加させることを示した。さらに,ZnはZigzag型モデルにおけるHClの吸着安定性に寄与しなかった。Znドーピングは,HClが容易に吸着される方向における炭素材料の活性部位の電子状態を変えることが分かった。本研究は,HCl吸着を増加させるための炭素材料の改質によって,高温プロセスで発生するHClから環境有害な揮発性化合物の生成を抑制するための概念的基礎を築く。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学吸着 ,  *吸着 ,  高温 ,  *亜鉛 ,  *炭素 ,  活性炭 ,  *塩化水素 ,  塩酸 ,  活性部位 ,  *ドーピング ,  *炭素材 ,  分子軌道 ,  *量子化学 ,  電子状態 ,  分子モデル

著者キーワード (5件)： Znドープ炭素 ,  炭素表面種 ,  化学的に吸着したHCl ,  量子化学計算 ,  静電ポテンシャルマップ

分類 (2件)： 吸着剤  (YB03000W) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： Zn ,  ドープ ,  炭素材料 ,  塩化水素 ,  吸着 ,  量子化学 ,  研究