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J-GLOBAL ID：202002245558601607   整理番号：20A1204379

ポストアニーリングによる高ホウ素ドープダイヤモンドへのルテニウムOhm接触の特性【JST・京大機械翻訳】

Characteristics of ruthenium ohmic contact to heavily boron doped diamond by post-annealing
著者 (20件)：
Song Wangzhen

Song Wangzhen について

(Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, Shaanxi Province, China)

Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, Shaanxi Province, China について

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Song Wangzhen

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(Key Lab for physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)

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Zhao Dan

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Zhao Dan

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(Key Lab for physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)

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Wang Juan

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Wang Juan

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Liu Zhangcheng

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Wang Yanfeng

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Chang Xiaohui

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Wang Ruozheng

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Wang Wei

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Wang Wei

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Abbasi Haris Naeem

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Wang Hongxing

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資料名：
Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)

Diamond and Related Materials について


巻： 106  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ホウ素ドープダイヤモンド(BDD)へのルテニウム(Ru)接触の特性を,アニーリング前後で調べた。BDDへの堆積したままのRu接触の特性は非線形傾向を示した。興味深いことに,Ru/BDDの接触特性は500°Cでのポストアニーリング後にオーム接触挙動を示した。Ru/BDDの比接触抵抗(ρ_c)はアルゴン(Ar)雰囲気中で500°C,20分間のアニーリング後に2.3×10~4Ωcm2であった。500°Cでのアニーリング後の接触障壁高さは0.075eV±0.14eVであり,X線光電子分光法(XPS)で評価した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*焼なまし

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*ダイヤモンド

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Ohm接触

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X線光電子分光法

X線光電子分光法 について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ボロンドープダイヤモンド

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障壁高さ

障壁高さ について

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比接触抵抗

比接触抵抗 について

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*ポストアニーリング

ポストアニーリング について

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著者キーワード (6件)：
ダイヤモンド

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ルテニウム

ルテニウム について

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C-TLM

C-TLM について

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Ohm接触

Ohm接触 について

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XPS

XPS について

, 
バリア高さ

バリア高さ について

分類 (1件)：
分類
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炭素とその化合物 
(YB02060D)

炭素とその化合物 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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ポストアニーリング

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ホウ素ドープダイヤモンド

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ルテニウム

ルテニウム について

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Ohm接触

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