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J-GLOBAL ID：202002245771161911   整理番号：20A0827038

SiN不動態化n極GaN深リセスHEMTのWバンド電力性能【JST・京大機械翻訳】

W-Band Power Performance of SiN-Passivated N-Polar GaN Deep Recess HEMTs
著者 (10件)：
Romanczyk Brian

Romanczyk Brian について

(Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)

Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA について

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Mishra Umesh K.

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(Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA)

Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA について

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Zheng Xun

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Guidry Matthew

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Li Haoran

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Hatui Nirupam

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Wurm Christian

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Krishna Athith

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Ahmadi Elaheh

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Keller Stacia

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資料名：
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

IEEE Electron Device Letters について


巻： 41  号： 3  ページ： 349-352  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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プラズマ増強化学蒸着により堆積した40nm厚ex situ窒化けい素不動態化層の添加による窒素極性窒化ガリウム深凹型高電子移動度トランジスタの大信号Wバンドパワー性能の改善について報告した。追加の不動態化は分散制御を改善し,デバイスをより高い電圧で動作させることを可能にした。2×37.5μmトランジスタで94GHzで行った連続波負荷プル測定により,20Vドレインバイアスで7.2W/mmの関連出力密度でピーク電力付加効率(PAE)が30.2%に改善されることを実証した。さらに,23Vにおいて,8.84W/mm(663mW)の新しい記録高Wバンド電力密度が,27.0%の関連PAEで達成された。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語：
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連続波

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準シソーラス用語：
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分類 (1件)：
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