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J-GLOBAL ID：202002245834082360   整理番号：20A1235489

NH₃流量変調エピタクシーにより成長させたAlGaN/AlN超格子における界面の改善

Improvement of the interfaces in AlGaN/AlN superlattice grown by NH₃ flow-rate modulation epitaxy

著者 (10件)： Luo Weike (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Luo Weike (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016, People’s Republic of China) ,  Bin Liu (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Li Zhonghui (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016, People’s Republic of China) ,  Yang Feng (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016, People’s Republic of China) ,  Li Zhenhua (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Yang Qiankun (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016, People’s Republic of China) ,  Gao Hanchao (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016, People’s Republic of China) ,  Wang Kechao (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016, People’s Republic of China) ,  Zhang Rong (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 1  ページ： 015511 (5pp)  発行年： 2020年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/AlN超格子(SL)は,特に深いUVスペクトル領域において,垂直発光素子のための重要な構成要素である。NH₃流量変調エピタクシー(FME)により,平均Al組成55.3%の30対のAlGaN/AlN(6.6nm/3.3nm)SLの急峻な界面を成長させた。Al原子の表面移動の増強により,この成長法を用いて界面と表面形態を大幅に改善できた。さらに,界面での基底積層欠陥を高分解能透過型電子顕微鏡で観察した。BSFの成形を説明するために,応力緩和モデルを提案した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： アンモニア ,  *流量 ,  *エピタクシー ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化アルミニウム ,  *超格子 ,  *界面 ,  紫外スペクトル ,  紫外線 ,  発光 ,  化学組成 ,  表面拡散 ,  *モルフォロジー ,  *表面構造 ,  積層欠陥 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  応力緩和
準シソーラス用語： ガス流量 ,  *AlGaN ,  *AlN ,  UVスペクトル ,  紫外線域 ,  面発光 ,  元素組成 ,  表面移動 ,  *表面形態 ,  高分解能透過型電子顕微鏡

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (9件)： NH3 ,  流量 ,  変調 ,  エピタクシー ,  成長 ,  AlGaN ,  AlN ,  超格子 ,  界面