文献

J-GLOBAL ID：202002246636242329   整理番号：20A0230019

高分子p-n接合の解読:制御された脱ドーピングと逆Biasエレクトロルミネセンス【JST・京大機械翻訳】

Decoding the Polymer p-n Junction: Controlled Dedoping and Reverse Bias Electroluminescence

著者 (3件)： Wang Dongze (Department of Physics, Engineering Physics and Astronomy, Queen’s University, 64 Bader Lane, Kingston, Ontario, K7L 3N6, Canada) ,  Desroche Emmett (Department of Physics, Engineering Physics and Astronomy, Queen’s University, 64 Bader Lane, Kingston, Ontario, K7L 3N6, Canada) ,  Gao Jun (Department of Physics, Engineering Physics and Astronomy, Queen’s University, 64 Bader Lane, Kingston, Ontario, K7L 3N6, Canada)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 7  号： 1  ページ： e1901216  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子発光電気化学セル(PLEC)は,低コスト応用のための魅力的な属性を有するユニークな固体デバイスであるが,まだ十分に理解されていない接合構造である。PLECにおいて,印加電圧は半導体高分子のその場電気化学的p-およびn-ドーピングと動的発光p-n接合の形成を引き起こす。一度接合が冷却または化学操作により固定されると,「凍結接合」PLECは単極エレクトロルミネセンス(EL)と光起電力応答を示す。しかしながら,繰り返し熱サイクルは,凍結接合PLECを順方向バイアス下で劇的に増強されたELを経験し,逆バイアスELを発生させることができる。本研究では,輸送測定と直接イメージングの組み合わせを用いて,ミステリー逆バイアスELの起源を解明した。バンドギャップ状態からの電子と正孔のトンネル注入により生じる逆バイアスELを,p-とn-ドープ領域の間の脱ドープされた「真性」領域に説明するモデルを開発した。このモデルは,順方向と逆方向のバイアスの下でのELの位置,相対強度,および発展を説明する。結果は,以前に解決されたものよりはるかに狭い接合部にある。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  光起電力 ,  画像処理 ,  正孔 ,  *エレクトロルミネセンス ,  重合体 ,  *高分子 ,  凍結 ,  電気化学 ,  発光 ,  固体素子 ,  高分子半導体 ,  接合 ,  熱サイクル ,  *ドーピング

著者キーワード (5件)： 電気化学的ドーピング ,  エレクトロルミネセンス ,  発光電気化学セル ,  発光ポリマー ,  p-n接合

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高分子 ,  p-n接合 ,  解読 ,  ドーピング ,  エレクトロルミネセンス