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J-GLOBAL ID：202002246705069485   整理番号：20A2238562

Ge基板表面処理における接触角とMIS電気特性

Wet treatment effects to the contact angle of Ge surface and the relations to electrical properties of MIS structure

著者 (3件)： 高山祐太郎 (大阪大 基礎工) ,  森悠 (大阪大 基礎工) ,  金島岳 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14a-PA4-4  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】我々は,Ge(111)に原子マッチングするLa2O3結晶をゲート絶縁膜としてGe基板上に直接低温成長させることで,良好な電気特性を実現できることを報告している[1,2].さらに, Ge基板をヨウ素溶液に浸漬することで,MIS構造の界...【本文一部表示】

シソーラス用語： MIS構造 ,  最適化 ,  *接触角 ,  濡れ ,  表面準位 ,  *表面処理 ,  ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  ヨウ素 ,  *電気特性 ,  コンダクタンス ,  ゲート絶縁膜 ,  脂肪族ケトン
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  界面状態密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： アセトン

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge基板 ,  表面処理 ,  接触角 ,  MIS ,  電気特性