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J-GLOBAL ID：202002247018919697   整理番号：20A1236123

Agライニングオートクレーブにおける酸性NH₄F鉱化剤を用いた2インチ長GaN単結晶のアンモニア熱成長

Ammonothermal growth of 2 inch long GaN single crystals using an acidic NH₄F mineralizer in a Ag-lined autoclave

著者 (11件)： Tomida Daisuke (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Bao Quanxi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Bao Quanxi (Crystal Business Promotion Office, The Japan Steel Works, Ltd., 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0032, Japan) ,  Saito Makoto (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Saito Makoto (Mitsubishi Chemical Corp., 1000 Higashi-Mamiana, Ushiku, Ibaraki 300-1295, Japan) ,  Osanai Ryu (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Osanai Ryu (Crystal Business Promotion Office, The Japan Steel Works, Ltd., 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0032, Japan) ,  Shima Kohei (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Kojima Kazunobu (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Ishiguro Tohru (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan) ,  Chichibu Shigefusa F. (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 13  号： 5  ページ： 055505 (5pp)  発行年： 2020年05月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径2インチのc面と長さ45mmのm面GaNウエハ上の数mm厚のGaN結晶のシードされたアンモニア熱成長を,直径60mmのAg線状オートクレーブ中でNH₄F鉱化剤を用いて行った。温度分布の動的制御の結果として,低転位密度とほとんど湾曲しないm面GaNを成長させた:すなわち,10<span style=text-decoration:overline>1</span>0及び10<span style=text-decoration:overline>1</span>2反射のX線ロッキング曲線に対する半値全幅は28arcsecより小さく,曲率半径は1460mと推定された。さらに,その低温光ルミネセンススペクトルは,自由および中性ドナー結合励起子発光ピークを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 銀 ,  ライニング ,  オートクレーブ ,  フッ化アンモニウム ,  鉱化剤 ,  *窒化ガリウム ,  *単結晶 ,  アンモニア ,  転位密度 ,  形態 ,  ロッキングカーブ ,  FWHM ,  スペクトル ,  発光 ,  結晶成長
準シソーラス用語： 湾曲 ,  X線ロッキングカーブ ,  半値全幅 ,  光ルミネセンススペクトル ,  励起子発光

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (11件)： Ag ,  ライニング ,  オートクレーブ ,  酸性 ,  NH4F ,  鉱化剤 ,  インチ ,  GaN ,  単結晶 ,  アンモニア ,  成長