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J-GLOBAL ID：202002247075310807   整理番号：20A1789797

GaAs(110)表面上のGa吸着原子の温度依存チップ誘起運動【JST・京大機械翻訳】

Temperature-Dependent Tip-Induced Motion of Ga Adatom on GaAs (110) Surface

著者 (2件)： Kaku Shigeru (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, 152-8550, Japan) ,  Yoshino Junji (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, 152-8550, Japan)
資料名： Small  (Small)
巻： 16  号： 32  ページ： e2002296  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(110)表面上のGa吸着原子の温度依存チップ誘起運動を走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて実験的に示した。第一原理電子構造計算により得られた表面吸着エネルギープロフィルは,78Kで観測したGa運動の起源が3つの局所極小間の最も安定な電位極小間の先端誘起Ga吸着原子ホッピングに起因し,一方4.2Kで観察されたそれは,最も安定な極小値と同様に次の安定極小を通して先端誘起ホッピングと滑り運動に起因することを明らかにした。さらに,反復STM線走査から生じる4.2Kでのみ観測された吸着原子の僅かな漸進的変化は,チップ電流による吸着原子の加熱を考慮した全体像と一致することを示した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電位 ,  電流 ,  *ガリウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *温度依存性 ,  ホッピング伝導 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  第一原理
準シソーラス用語： *吸着原子 ,  滑走運動 ,  原子操作 ,  表面吸着 ,  電子構造計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 原子操作 ,  電子構造計算 ,  走査トンネル顕微鏡法 ,  表面 ,  温度特性

分類 (1件)： 光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  Ga ,  吸着原子 ,  温度依存 ,  誘起 ,  運動