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J-GLOBAL ID：202002247509273697   整理番号：20A1258258

130°Cでの応力刺激による非晶質GeのAu誘起横方向結晶化【JST・京大機械翻訳】

Au induced lateral crystallization of amorphous Ge with stress stimulation at 130 ^○C

著者 (11件)： Nishijima Taiki (National Institute of Technology (KOSEN), Kumamoto College, 2659-2, Suya, Koshi-shi, Kumamoto 861-1102, Japan) ,  Shimizu Satoshi (National Institute of Technology (KOSEN), Kumamoto College, 2659-2, Suya, Koshi-shi, Kumamoto 861-1102, Japan) ,  Kusano Kinta (National Institute of Technology (KOSEN), Kumamoto College, 2659-2, Suya, Koshi-shi, Kumamoto 861-1102, Japan) ,  Kudo Kazuki (National Institute of Technology (KOSEN), Kumamoto College, 2659-2, Suya, Koshi-shi, Kumamoto 861-1102, Japan) ,  Furuta Masahiro (Samco, Inc., 36, Waraya-cho, Takeda, Fushimi-ku, Kyoto 612-8443, Japan) ,  Kusuda Yutaka (Samco, Inc., 36, Waraya-cho, Takeda, Fushimi-ku, Kyoto 612-8443, Japan) ,  Motoyama Shinichi (Samco, Inc., 36, Waraya-cho, Takeda, Fushimi-ku, Kyoto 612-8443, Japan) ,  Naka Nobuyuki (HORIBA Ltd., 2, Miyanohigashi, Kisshoin, Minami-ku, Kyoto 601-8510, Japan) ,  Numata Tomoko (Horiba Techno Service Co., Ltd., 2, Miyanohigashi, Kisshoin, Minami-ku, Kyoto 601-8510, Japan) ,  Takakura Kenichiro (National Institute of Technology (KOSEN), Kumamoto College, 2659-2, Suya, Koshi-shi, Kumamoto 861-1102, Japan) ,  Tsunoda Isao (National Institute of Technology (KOSEN), Kumamoto College, 2659-2, Suya, Koshi-shi, Kumamoto 861-1102, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 5  ページ： 055306-055306-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁基板上の非晶質Geの金(Au)誘起横方向結晶化(GILC)に及ぼす応力刺激の影響を調べた。結果として,GILCはTEOS-SiO_2において200MPaまでの圧縮残留応力を用いることによって著しく強化された。さらに,短いアニーリング時間(60分)に対してGILCを引き起こすのに必要なアニーリング温度は130°Cに低下できることが分かった。GILCの増強は結合再配列に寄与する応力刺激により引き起こされ,AuはGeに容易に拡散することを示した。本研究では,金属誘起横方向結晶化に残留膜応力を導入するユニークな低温結晶化技術を提案し,低軟化温度プラスチック基板上の柔軟な電子デバイスの低コスト作製の道を開いた。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *結晶化 ,  焼なまし ,  *金 ,  *ゲルマニウム ,  軟化点 ,  *非晶質 ,  膜応力
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  金属誘起横方向結晶化 ,  電子素子 ,  圧縮残留応力 ,  低温結晶化 ,  再配列 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 応力 ,  刺激 ,  非晶質 ,  Ge ,  Au ,  誘起 ,  横方向 ,  結晶化