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J-GLOBAL ID:202002247615810422   整理番号:20A0355563

マイクロデバイスへの応用のためのPECVD SiO_2/Si_3N_4二重層エレクトレット【JST・京大機械翻訳】

PECVD SiO2/Si3N4 Double-layer Electrets for Application in Micro-devices
著者 (5件):
資料名:
巻: 611  号:ページ: 012088 (7pp)  発行年: 2019年 
JST資料番号: W5559A  ISSN: 1757-8981  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文において,PECVD SiO_2/Si_3N_4二重層エレクトレットの性能に及ぼす種々の環境条件,基板,マイクロマシニングプロセス,面積およびパターンの影響を,マイクロデバイスにおけるその応用のために研究した。種々の試料を調製し,次に負コロナ帯電法により帯電させた。250°Cまたは95%RHでの電荷減衰を観測し,帯電性と電荷安定性を明らかにした。最後に,パターン化PECVD SiO_2/Si_3N_4二重層エレクトレットを有するマイクロ発電機を,実証として簡潔に提示した。これらの結果は,エレクトレットマイクロデバイスの作製プロセスにおいて通常または不可避に起こるこれらの全ての条件が,エレクトレット性能に及ぼす影響が大きいか少ないことを示している。エレクトレットは可能な限り大きな面積で,マイクロマシニングプロセスと湿潤条件から最良に保つことが重要である。PECVD SiO_2/Si_3N_4二重層エレクトレットの2mm矩形アレイを有する著者らのマイクロ発電機は,20Hzと0.7gで5μW出力を有した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
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圧電気,焦電気,エレクトレット 
タイトルに関連する用語 (5件):
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