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J-GLOBAL ID：202002247801686938   整理番号：20A0531319

高性能広帯域Mg/ZnSNP_2/SnバックツーバックSchottky接合光検出器のバイアスとパワー依存性のプロービング【JST・京大機械翻訳】

Probing bias and power dependency of high-performance broadband Mg/ZnSnP₂/Sn back-to-back Schottky junction photodetectors

著者 (6件)： Mukherjee S. (Department of Physics, Presidency University, 86/1, College Street, Kolkata, 700073, India) ,  Maitra T. (Department of Physics, Presidency University, 86/1, College Street, Kolkata, 700073, India) ,  Pradhan A. (Surface Physics and Material Science Division, Saha Institute of Nuclear Physics, HBNI, Sector-1, AF Block, Kolkata, 700064, India) ,  Mukherjee S. (Surface Physics and Material Science Division, Saha Institute of Nuclear Physics, HBNI, Sector-1, AF Block, Kolkata, 700064, India) ,  Bhunia S. (Surface Physics and Material Science Division, Saha Institute of Nuclear Physics, HBNI, Sector-1, AF Block, Kolkata, 700064, India) ,  Nayak A. (Department of Physics, Presidency University, 86/1, College Street, Kolkata, 700073, India)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 208  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UV-VIS-NIRスペクトル領域における光検出のために,p型シリコン(100)基板上に,共平面バック-バック配置に接続した二つの同一でないMg/ZnSnP_2とZnSnP_2/Sn Schottkyダイオードを作製した。素子のパワーとバイアス依存応答性,検出能,応答と回復速度の詳細な研究を報告した。バイアスなしで動作させると,Mg/ZnSnP_2に対する応答性と検出能はそれぞれ0.2AW-1と4.62×1012Jonesであり,Sn/ZnSnP_2接合に対してはそれぞれ0.03AW-1と1.62×1011Jonesであることが分かった。しかし,2.5Vの逆バイアス下で,これらの値はMg/ZnSnP_2の場合に4.7A W-1と1.19×1012Jonesに変化し,Sn/ZnSnP_2接合に対してはそれぞれ12.7A W-1と4.78×1011Jonesに変化した。両方の接合に関連する光電流は,照射パワーとともに超線形に増加し,これは,再結合中心への禁制エネルギーギャップ内の既存のトラップの変換と相関している。光検出器の応答と回復速度も可変バイアスと照明パワーの下で研究した。0.34mWの入射パワーの下で,Mg/ZnSnP_2とSn/ZnSnP_2接合の上昇と減衰時間は,2.5Vでそれぞれ200μs,2300μsと390μs,240μsであった。Mg/ZnSnP_2は,自己給電配置で消失した異常バイアス依存二次減衰チャネルを示した。欠陥状態の存在とトラップ及び再結合中心による光生成キャリアの捕獲を理解するために,構造の暗及び照明パワー依存容量における周波数依存容量も実行した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光検出器 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *光検出 ,  応答特性 ,  エネルギーギャップ ,  周波数依存性 ,  バイアス ,  スペクトル ,  ダイオード ,  照明 ,  再結合中心 ,  接合 ,  *広帯域 ,  光電流 ,  光生成

著者キーワード (5件)： 検出器 ,  Schottkyダイオード ,  再結合中心 ,  自己出力 ,  広範なブランド

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高性能 ,  広帯域 ,  Mg ,  Sn ,  Schottky接合 ,  光検出器 ,  バイアス ,  パワー依存性