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J-GLOBAL ID：202002248066487447   整理番号：20A1347865

厚み傾斜最終井戸/ラスト障壁と組成傾斜電子ブロッキング層による緑色GaN系発光ダイオードの高内部量子効率【JST・京大機械翻訳】

High internal quantum efficiency of green GaN-based light-emitting diodes by thickness-graded last well/last barrier and composition-graded electron blocking layer

著者 (3件)： Usman Muhammad (Faculty of Engineering Sciences, Ghulam Ishaq Khan Institute of Engineering Sciences and Technology, Topi, Khyber Pakhtunkhwa, Pakistan) ,  Munsif Munaza (Faculty of Engineering Sciences, Ghulam Ishaq Khan Institute of Engineering Sciences and Technology, Topi, Khyber Pakhtunkhwa, Pakistan) ,  Anwar Abdur-Rehman (Faculty of Engineering Sciences, Ghulam Ishaq Khan Institute of Engineering Sciences and Technology, Topi, Khyber Pakhtunkhwa, Pakistan)
資料名： Optical and Quantum Electronics  (Optical and Quantum Electronics)
巻： 52  号： 6  ページ： 320  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0205A  ISSN： 0306-8919  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 緑色発光ダイオード(LED)の性能を高めるために,従来のLEDの構造工学の数値解析を提示した。組成傾斜電子ブロッキング層および厚さ傾斜最終量子障壁および最後の量子井戸を有する提案構造は,他のデバイスと比較して,高い電流密度において,改善された放射再結合速度,低い効率ドループおよびより高い光出力を示した。観察された改善は,良好な電子と正孔閉じ込め,ならびに活性領域内部の改善された正孔輸送のためであった。Copyright Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  数値解析 ,  正孔 ,  活性部位 ,  *窒化ガリウム ,  量子井戸
準シソーラス用語： 正孔輸送 ,  *内部量子効率 ,  *組成傾斜 ,  光出力 ,  緑色LED ,  放射再結合 ,  *電子ブロック層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： InGaN ,  発光ダイオード ,  効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (10件)： 厚み ,  井戸 ,  ラスト ,  障壁 ,  組成傾斜 ,  電子ブロッキング層 ,  緑色 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  内部量子効率