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J-GLOBAL ID：202002248467024008   整理番号：20A2260212

金属支援化学エッチングによって作製されたシリコンビア【JST・京大機械翻訳】

Silicon Vias Fabricatied by Metal-Assisted Chemical Etching

著者 (4件)： Xu Hongbo (Harbin Institute of Technology (Weihai),State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining,Weihai,China) ,  Wang Jianqiang (Harbin Institute of Technology (Shenzhen),State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining,Shenzhen,China) ,  Zhao Hongyun (Harbin Institute of Technology (Weihai),State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining,Weihai,China) ,  Li Mingyu (Harbin Institute of Technology (Shenzhen),State Key Laboratory of Advanced Welding and Joining,Shenzhen,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICEPT  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクマイクロマシニング技術として,金属支援化学エッチング(MACE)は,集積回路における3D積層チップ電気相互接続を実現するための重要な技術である,製造によるシリコンの応用に対して魅力的である。本論文では,銀を触媒として用いて,シリコンバルクの異方性湿式エッチングを行った。TSV孔に及ぼすAgナノ粒子(NP)の寸法の影響を論じた。実験では,エッチング速度は約10μm/minであり,アスペクト比はAg NP触媒で約100に達した。銀粒子の平均直径が19nmから43nmまで増加すると,腐食孔の平均直径も約20nmから約45nmに増加した。MaCEは,高アスペクト比のナノサイズシリコンを実現するための低コスト湿式エッチング技術の可能性を示す。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  集積回路 ,  腐食 ,  銀 ,  *ケイ素 ,  アスペクト比 ,  相互接続 ,  三次元 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  銀ナノ粒子 ,  高アスペクト比 ,  バルクマイクロマシニング ,  *金属支援化学エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： NMR一般  (BM07041R) ,  符号理論  (ND02030R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  医用画像処理  (JE04020T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 金属支援化学エッチング ,  作製