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J-GLOBAL ID：202002248519606692   整理番号：20A0191215

低電力応用のための高安定信頼性SRAMセル設計【JST・京大機械翻訳】

A highly stable reliable SRAM cell design for low power applications

著者 (4件)： Pal Soumitra (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Hong Kong) ,  Bose Subhankar (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology, Mesra, Ranchi 835215, Jharkhand, India) ,  Ki Wing-Hung (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Hong Kong) ,  Islam Aminul (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology, Mesra, Ranchi 835215, Jharkhand, India)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 105  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力効率の良いニューラルネットワーク加速器に対する需要の増大は,低電力静的ランダムアクセスメモリ(SRAM)に対する強い要求を生み出している。この文脈において,電力効率の良い伝送ゲートに基づく9トランジスタ(TG9T)SRAMビットセルを本研究で提案した。提案した設計の相対的性能を主要な設計基準の観点から評価するために,フィードバック切断7T,完全差動8T(FD8T)および単一終端妨害フリー9T(SEDF9T)ビットセルのような同時設計を行った。一方,プロセス変動を受けた場合のそのようなSRAM設計の信頼性も解析した。読出し安定性(RSNM)に関して,TG9Tは7T/FD8Tと比較して,RSNMにおいてそれぞれ2.87×/3.36×高いRSNMと2.90×/2.67×狭い広がりを示した。さらに,それは,FD8T/SEDF9TおよびFD8T/SEDF9T/7Tと比較して,それぞれ1.4×/6.55×より高い書込み能力(WSNM)およびWSNMにおける1.01×/5.05×/1.06×狭い広がりを示した。さらに,7T/FD8Tと比較して,提案した設計により,読出し遅延(T_RA)における1.15×/1.06×狭い広がりと読出し電流(I_READ)における1.54×/1.38×狭い広がりを示した。TG9Tの信頼性のある性質は,読出し安定性,書込み能力,読取遅延および読出し電流における狭い広がりによって示される。さらに,7T/FD8Tと比較して,TG9Tは2.92×/1.04×低い保持力を消費する。さらに,提案したセルは,SEDF9T/FD8Tおよび7T/FD8Tのそれと比較して,それぞれ10.80×/17.81×低い書込み電力消費および1.43×/18.37×低い読取電力消費を示した。比較のために用いたすべてのSRAMビットセルの中で,提案したビットセルは最低のV_DD,minをもたらした。TG9Tセルは,0.7Vの供給電圧において,7T/SEDF9Tおよび7T/FD8Tと比較して,それぞれ1.22×/1.34×長T_WAおよび1.93×/1.93×長T_RAのコストで上記の改善を達成した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力応用 ,  トランジスタ ,  ニューラルネットワーク ,  加速器 ,  *信頼性 ,  *SRAM ,  *電力 ,  電力効率 ,  設計基準 ,  電流 ,  電力消費 ,  RAM【メモリ】
準シソーラス用語： 供給電圧 ,  プロセス変動 ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 動的電力 ,  リードの安定性 ,  書き込み能力 ,  リード遅延 ,  書き込み遅延 ,  漏れ電力 ,  フィードバック切断

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電力 ,  応用 ,  SRAM ,  セル設計