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J-GLOBAL ID：202002249408534399   整理番号：20A2751710

3次元積層技術を用いた多結晶電極上への単結晶磁気抵抗素子の作製-単結晶磁気抵抗素子の近年の進展-

Fabrication of single crystalline magnetoresistance device on the poly-crystalline electrode using three dimensional integration technology-Recent progress in single crystalline magnetoresistance devices-

著者 (1件)： 桜庭裕弥 (物質・材料研究機構 磁性・スピントロニクス材料研究拠点)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 44  号： 25(MMS2020 50-52)  ページ： 21-25  発行年： 2020年09月28日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単結晶構造を有する巨大磁気抵抗(GMR)素子やトンネル磁気抵抗素子は,高い性能を示すだけでなく基礎的観点でも興味深く多くの研究が行われてきた.近年,準安定bcc Cuスペーサーやハーフメタルホイスラー合金電極を用いた単結晶GMR素子で過去最高クラスの磁気抵抗出力が観測されている。しかし,それらは非実用的なMgO単結晶基板の必要性が実用デバイスへの大きな足枷となっている。本研究では,Si基板上にMgO基板上と同等の高い耐熱性を持つ単結晶磁気抵抗素子を実現するとともに,3次元積層技術によって多結晶電極上への貼り付けを行うことに成功した。本プロセスにより,単結晶磁気抵抗素子を実用展開させる新たな道筋が示された。(著者抄録)

シソーラス用語： 技術 ,  積層構造 ,  *半導体プロセス ,  *単結晶 ,  磁気抵抗素子 ,  磁気抵抗 ,  酸化マグネシウム ,  技術展望 ,  歴史 ,  電力 ,  プリント基板 ,  耐熱性 ,  三次元
準シソーラス用語： GMR【抵抗】 ,  MgO ,  積層技術 ,  単結晶磁気抵抗素子 ,  *半導体技術

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3次元 ,  多結晶 ,  単結晶 ,  磁気抵抗素子 ,  作製 ,  進展