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J-GLOBAL ID：202002250106672086   整理番号：20A2005006

単層および二層ホウ素ドープC_3Nの電気光学的性質:歪エンジニアリングおよび電場による調整可能な電子構造【JST・京大機械翻訳】

Electro-optical properties of monolayer and bilayer boron-doped C3N: Tunable electronic structure via strain engineering and electric field

著者 (5件)： Bafekry A. (Department of Physics, University of Guilan, 41335-1914, Rasht, Iran) ,  Bafekry A. (Department of Physics, University of Antwerp, Groenenborgerlaan 171, B-2020, Antwerp, Belgium) ,  Yagmurcukardes M. (Department of Physics, University of Antwerp, Groenenborgerlaan 171, B-2020, Antwerp, Belgium) ,  Shahrokhi M. (Department of Physics, Faculty of Science, University of Kurdistan, 66177-15175, Sanandaj, Iran) ,  Ghergherehchi M. (College of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyun Kwan University, Suwon, Republic of Korea)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 168  ページ： 220-229  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ホウ素ドープC_3Nの単層と二重層の構造的,電子的および光学的特性を,密度汎関数理論に基づく第一原理計算によって研究した。その結果,Bドーパント濃度が六方晶パターンで3.1%から12.5%に増加すると,間接から直接バンドギャップ(0.8eV)遷移が起こることが分かった。さらに,BドープC_3N二分子層(B-C_3N@2L)に及ぼす電場と歪の影響を研究した。0.1から0.6V/ÅのE場強度を増加させることにより,バンドギャップは線形減少傾向を示し,一方>0.6V/Åでは,50meV(平行E場)と0.4eV(逆平行E場)で二重狭バンドギャップを見出した。その結果,面内および面外歪は,B-C_3N@2Lのバンドギャップおよびバンド端位置を調節することができることが明らかになった。全体として,著者らは,B-C_3N@2Lが層状二次元材料(2DM)における新しい物理特性の研究のための新しいプラットフォームであり,高速低散逸デバイスを実現する新しい機会を提供する可能性があると予測した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 機械的性質 ,  *光学的性質 ,  *電場 ,  *電子構造 ,  二分子層 ,  *ドーピング ,  六方晶系 ,  狭帯域 ,  ドーパント ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  バンド端 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 単分子層と二分子層 ,  BドープC_3N窒化炭素 ,  電気光学特性 ,  機械的性質 ,  原子ドーピング ,  電場 ,  歪工学

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (9件)： 単層 ,  二層 ,  ホウ素 ,  ドープ ,  光学的性質 ,  歪 ,  エンジニアリング ,  電場 ,  電子構造