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J-GLOBAL ID：202002250191832001   整理番号：20A0914582

FinFET技術における性能,電力および信頼性に及ぼす自己加熱の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Self-Heating on Performance, Power and Reliability in FinFET Technology

著者 (6件)： van Santen Victor M. (Karlsruhe Institute of Technology,Department of Computer Science,Karlsruhe,Germany) ,  Genssler Paul R. (Karlsruhe Institute of Technology,Department of Computer Science,Karlsruhe,Germany) ,  Prakash Om (Karlsruhe Institute of Technology,Department of Computer Science,Karlsruhe,Germany) ,  Thomann Simon (Karlsruhe Institute of Technology,Department of Computer Science,Karlsruhe,Germany) ,  Henkel Jorg (Karlsruhe Institute of Technology,Department of Computer Science,Karlsruhe,Germany) ,  Amrouch Hussam (Karlsruhe Institute of Technology,Department of Computer Science,Karlsruhe,Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ASP-DAC  ページ： 68-73  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己加熱は,FinFETおよびナノワイヤのような現在および進歩したCMOS技術における信頼性に対する最大の脅威の一つである。ゲート誘電体によりチャネルをカプセル化することにより静電容量が改善されるが,チャネル内に発生する熱がトラップされるのでチャネル温度が上昇するチャネルが熱的に絶縁される。チャネル温度の上昇は性能を低下させ,漏れ電力を増加させ,回路の信頼性を劣化させる。自己加熱は,トランジスタの熱抵抗の増加により,各新しいトランジスタ構造(平面トランジスタからFinFETまで)においてより悪くなる。これは,回路を設計しながら注意深く考慮しなければならない温度上昇をもたらす。そうでなければ,信頼性は確保できない。本研究では,ディジタル回路における自己加熱事項を説明するための自己加熱研究を示した。また,CPUにおけるレジスタファイルのようなSRAMアレイにおける動作負荷の影響,およびSRAMセルにおける自己加熱効果を軽減できる方法についても調べた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トランジスタ ,  熱抵抗 ,  *信頼性 ,  *電力 ,  静電容量 ,  チャネル ,  SRAM ,  昇温 ,  ディジタル回路 ,  ナノワイヤ ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *FinFET ,  *自己加熱 ,  漏れ電力 ,  CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 符号理論  (ND02030R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (2件)： FinFET ,  自己加熱