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J-GLOBAL ID：202002250225911879   整理番号：20A2119302

高性能フレキシブルエレクトロニクスのためのナノインデンテーション技術を用いた界面応力の定量的キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Quantitative characterization of interface stress using a nanoindentation technique for high performance flexible electronics

著者 (8件)： Wang Xiumei (Institute of Optoelectronic Display, National & Local United Engineering Lab of Flat Panel Display Technology, Fuzhou University, Fuzhou 350002, China. [e-mail]) ,  Zhang Guocheng ,  Yang Huihuang ,  Liu Yaqian ,  Chen Shaomin ,  Lin Zhixian ,  Chen Huipeng ,  Guo Tailiang
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 35  ページ： 12155-12163  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来のエレクトロニクスは共形,曲げ可能およびウェアラブルであり,柔軟なデバイスは機械的変形中に例外的な電子特性と機械的安定性を有する。しかし,フレキシブル電子デバイスにおいて,フレキシブルデバイスの機械的特性と電子性能に大きく影響する層間の界面応力の定量的キャラクタリゼーションは,まだ利用できないが,これは,デバイス性能の最適化と,フレキシブル電子デバイスにおける関連メカニズムの深い理解を制限する。ここでは,初めて,フレキシブル有機電界効果トランジスタ(OFET)の界面応力を正確に特性化するためにナノインデンテーション技術を導入し,他のフレキシブル電子デバイスにも広く応用できる。さらに,フレキシブルOFETの機械的安定性に及ぼす界面応力の影響を調べた。注目すべきことに,結果は,界面応力が層間の界面付着エネルギーを制御することで調整できることを示した。改善された界面応力は,曲げ変形中の絶縁体/半導体界面電荷移動への機械的損傷を直接減少させ,最終的にフレキシブルデバイスの機械的安定性と電気的性能を改善した。本研究は,ナノインデンテーション技術がフレキシブル電子システムの界面応力を正確に特性化するための有望なツールであり,高性能フレキシブルエレクトロニクスの作製のためのガイドラインを提供することを明確に示した。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  機械的性質 ,  最適化 ,  半導体 ,  付着 ,  *電子技術 ,  電子装置 ,  曲げ変形 ,  ナノインデンテーション ,  絶縁体
準シソーラス用語： *界面応力 ,  有機FET ,  電子素子 ,  *フレキシブルエレクトロニクス ,  フレキシブルデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  分析機器  (CC02020S) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  フレキシブルエレクトロニクス ,  ナノインデンテーション ,  界面応力 ,  定量 ,  キャラクタリゼーション