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J-GLOBAL ID：202002250645420131   整理番号：20A2241475

薄いBドープ層挿入によるAl触媒SiNW/i-Geコア-シェル構造における正孔ガス密度増強【JST・京大機械翻訳】

Hole Gas Density Enhancement in Al-Catalyzed SiNW/i-Ge Core-Shell Structure by Thin B-doped Layer Interposition

著者 (4件)： JEVASUWAN Wipakorn (NIMS) ,  ZHANG Xiaolong (NIMS) ,  MATSUMURA Ryo (NIMS) ,  FUKATA Naoki (NIMS)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14a-PA2-14  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： Si/Geコア-シェルナノワイヤ(NW)構造は,それらの顕著な電気的および機械的特性[1-2]のため,高電子移動度トランジスタのために最近大きな注目を集めている。この構造の利点は,p-SiコアNWからの誘起キャリアが閉じ込められ,i-Geシ...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： *正孔 ,  薄膜 ,  不純物 ,  *アルミニウム ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  非対称性 ,  *ドーピング ,  気体流 ,  流速 ,  キャリア密度 ,  薄膜成長 ,  金属触媒 ,  基板温度 ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： 光学フォノン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  Al触媒 ,  Ge ,  コア-シェル構造 ,  正孔 ,  密度 ,  増強