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J-GLOBAL ID:202002250910668523   整理番号:20A2096054

低温ポリシリコン薄膜トランジスタを用いたゲートアレイ

Gate Array Using Low-Temperature Poly-Si Thin-Film Transistors
著者 (4件):
資料名:
巻: E103.C  号:ページ: 341-344(J-STAGE)  発行年: 2020年 
JST資料番号: U0468A  ISSN: 1745-1353  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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低温ポリSi薄膜トランジスタを用いてゲートアレイを設計し,正しい動作を確認した。様々な種類の論理ゲートを前もって準備し,コンタクトホールを後に開けて,必要に応じて相互配線を論理ゲートの間で形成した。半加算器,2ビット復号器,およびフリップフロップを例として作成した。静的挙動を評価し,正しい波形が出力されたことを確認した。動的挙動も評価し,ゲートアレイの動的挙動は独立回路のそれよりも劣化しないと結論した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  論理回路 
引用文献 (17件):
タイトルに関連する用語 (3件):
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